এন-চ্যানেল বর্ধিতকরণ মোড MOSFET

(1) আইডি এবং চ্যানেলে ভিজিএস-এর নিয়ন্ত্রণ প্রভাব

① vGS এর কেস=0

এটা দেখা যায় যে এনহ্যান্সমেন্ট-মোডের ড্রেন ডি এবং সোর্স s-এর মধ্যে দুটি ব্যাক-টু-ব্যাক পিএন জংশন রয়েছেMOSFET.

যখন গেট-সোর্স ভোল্টেজ vGS=0, এমনকি যদি ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ vDS যোগ করা হয়, এবং vDS-এর পোলারিটি নির্বিশেষে, বিপরীত পক্ষপাতিত্ব অবস্থায় সবসময় একটি PN জংশন থাকে। ড্রেন এবং উৎসের মধ্যে কোন পরিবাহী চ্যানেল নেই, তাই এই সময়ে ড্রেন বর্তমান ID≈0।

② vGS>0 এর ক্ষেত্রে

vGS>0 হলে, গেট এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে SiO2 অন্তরক স্তরে একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয়। বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের দিকটি অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠের গেট থেকে সাবস্ট্রেটের দিকে নির্দেশিত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের দিকে লম্ব। এই বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি গর্তকে বিকর্ষণ করে এবং ইলেকট্রনকে আকর্ষণ করে। রিপেলিং হোল: গেটের কাছে পি-টাইপ সাবস্ট্রেটের গর্তগুলিকে বিকর্ষণ করা হয়, যা স্থাবর গ্রহণকারী আয়ন (ঋণাত্মক আয়ন) ছেড়ে একটি অবক্ষয় স্তর তৈরি করে। ইলেকট্রন আকর্ষণ করুন: পি-টাইপ সাবস্ট্রেটের ইলেকট্রন (সংখ্যালঘু বাহক) সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের দিকে আকৃষ্ট হয়।

(2) পরিবাহী চ্যানেল গঠন:

যখন ভিজিএস মান ছোট হয় এবং ইলেকট্রন আকর্ষণ করার ক্ষমতা শক্তিশালী হয় না, তখনও ড্রেন এবং উৎসের মধ্যে কোন পরিবাহী চ্যানেল থাকে না। ভিজিএস বাড়ার সাথে সাথে আরও বেশি ইলেকট্রন পি সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠের স্তরে আকৃষ্ট হয়। যখন vGS একটি নির্দিষ্ট মান ছুঁয়ে যায়, তখন এই ইলেকট্রনগুলি গেটের কাছে P সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে একটি N-টাইপ পাতলা স্তর তৈরি করে এবং দুটি N+ অঞ্চলের সাথে সংযুক্ত থাকে, ড্রেন এবং উত্সের মধ্যে একটি N-টাইপ পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করে। এর পরিবাহিতার ধরন P সাবস্ট্রেটের বিপরীত, তাই একে ইনভার্সন লেয়ারও বলা হয়। বৃহত্তর vGS, অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠের উপর কাজ করে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র যত বেশি শক্তিশালী, তত বেশি ইলেকট্রন P সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠের দিকে আকৃষ্ট হয়, পরিবাহী চ্যানেলটি তত ঘন হয় এবং চ্যানেলের প্রতিরোধ ক্ষমতা তত কম হয়। গেট-সোর্স ভোল্টেজ যখন চ্যানেল তৈরি হতে শুরু করে তখন তাকে টার্ন-অন ভোল্টেজ বলা হয়, যা VT দ্বারা উপস্থাপিত হয়।

দএন-চ্যানেল MOSFETউপরে আলোচনা করা একটি পরিবাহী চ্যানেল গঠন করতে পারে না যখন vGS < VT, এবং টিউবটি কেটে-অফ অবস্থায় থাকে। শুধুমাত্র vGS≥VT হলেই একটি চ্যানেল তৈরি করা যাবে। এই ধরনেরMOSFETযখন vGS≥VT কে বর্ধিতকরণ-মোড বলা হয় তখন এটি একটি পরিবাহী চ্যানেল গঠন করেMOSFET. চ্যানেলটি তৈরি হওয়ার পরে, ড্রেন এবং উত্সের মধ্যে একটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ভিডিএস প্রয়োগ করা হলে একটি ড্রেন কারেন্ট তৈরি হয়। ID-তে vDS-এর প্রভাব, যখন vGS>VT এবং একটি নির্দিষ্ট মান, পরিবাহী চ্যানেল এবং বর্তমান আইডিতে ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ vDS-এর প্রভাব জংশন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টরের মতো। চ্যানেল বরাবর ড্রেন কারেন্ট আইডি দ্বারা উত্পন্ন ভোল্টেজ ড্রপ চ্যানেলের প্রতিটি পয়েন্ট এবং গেটের মধ্যে ভোল্টেজগুলিকে আর সমান করে না। উৎসের কাছাকাছি শেষের ভোল্টেজটি সবচেয়ে বড়, যেখানে চ্যানেলটি সবচেয়ে পুরু। ড্রেনের প্রান্তে ভোল্টেজ সবচেয়ে ছোট, এবং এর মান হল VGD=vGS-vDS, তাই চ্যানেলটি এখানে সবচেয়ে পাতলা। কিন্তু যখন vDS ছোট হয় (vDS