উচ্চ শক্তি MOSFET ড্রাইভিং সার্কিট উত্পাদন পদ্ধতি

দুটি প্রধান সমাধান আছে:

একটি হল MOSFET চালানোর জন্য একটি ডেডিকেটেড ড্রাইভার চিপ ব্যবহার করা, অথবা দ্রুত ফটোকপলার ব্যবহার করা, ট্রানজিস্টর MOSFET চালানোর জন্য একটি সার্কিট গঠন করে, কিন্তু প্রথম ধরনের পদ্ধতির জন্য একটি স্বাধীন বিদ্যুৎ সরবরাহের ব্যবস্থা প্রয়োজন; MOSFET চালানোর জন্য অন্য ধরনের পালস ট্রান্সফরমার, এবং পালস ড্রাইভ সার্কিটে, কীভাবে ড্রাইভিং ক্ষমতা বাড়ানোর জন্য ড্রাইভ সার্কিটের সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি উন্নত করা যায়, যতদূর সম্ভব, উপাদানের সংখ্যা কমাতে, জরুরী প্রয়োজন। সমাধান করতেবর্তমান সমস্যা.

প্রথম ধরনের ড্রাইভ স্কিম, অর্ধ-ব্রিজের জন্য দুটি স্বাধীন বিদ্যুৎ সরবরাহ প্রয়োজন; ফুল-ব্রিজের জন্য তিনটি স্বতন্ত্র পাওয়ার সাপ্লাই প্রয়োজন, অর্ধ-সেতু এবং পূর্ণ-সেতু উভয়ই, অনেকগুলি উপাদান, খরচ কমানোর পক্ষে উপযুক্ত নয়।

দ্বিতীয় ধরনের ড্রাইভিং প্রোগ্রাম, এবং পেটেন্ট হল উদ্ভাবন নাম "একটি উচ্চ-শক্তি" জন্য নিকটতম পূর্ব শিল্পMOSFET ড্রাইভ সার্কিট" পেটেন্ট (অ্যাপ্লিকেশন নম্বর 200720309534। 8), পেটেন্ট শুধুমাত্র উচ্চ-শক্তি MOSFET চার্জের গেট উত্স ছেড়ে দেওয়ার জন্য একটি স্রাব প্রতিরোধের যোগ করে, বন্ধ করার উদ্দেশ্য অর্জন করতে, PWM সংকেতের পতনশীল প্রান্তটি বড়। PWM সিগন্যালের পতনের প্রান্তটি বড়, যা MOSFET, শক্তির ধীর বন্ধের দিকে পরিচালিত করবে ক্ষতি খুব বড়;

উপরন্তু, পেটেন্ট প্রোগ্রাম MOSFET কাজ হস্তক্ষেপের জন্য সংবেদনশীল, এবং PWM কন্ট্রোল চিপের একটি বড় আউটপুট শক্তি থাকা প্রয়োজন, যাতে চিপের তাপমাত্রা বেশি হয়, যা চিপের পরিষেবা জীবনকে প্রভাবিত করে। উদ্ভাবনের বিষয়বস্তু এই ইউটিলিটি মডেলের উদ্দেশ্য হল একটি উচ্চ-শক্তি MOSFET ড্রাইভ সার্কিট প্রদান করা, এই ইউটিলিটি মডেল উদ্ভাবনের প্রযুক্তিগত সমাধানের উদ্দেশ্য অর্জনের জন্য আরও স্থিতিশীল এবং শূন্য কাজ করা - একটি উচ্চ-শক্তি MOSFET ড্রাইভ সার্কিট, এর সংকেত আউটপুট PWM কন্ট্রোল চিপ প্রাথমিক পালস ট্রান্সফরমারের সাথে সংযুক্ত প্রথম আউটপুট of সেকেন্ডারি পালস ট্রান্সফরমারটি প্রথম MOSFET গেটের সাথে সংযুক্ত থাকে, সেকেন্ডারি পালস ট্রান্সফরমারের দ্বিতীয় আউটপুটটি প্রথম MOSFET গেটের সাথে সংযুক্ত থাকে, সেকেন্ডারি পালস ট্রান্সফরমারের দ্বিতীয় আউটপুটটি প্রথম MOSFET গেটের সাথে সংযুক্ত থাকে। পালস ট্রান্সফরমার মাধ্যমিকের প্রথম আউটপুটটি প্রথম MOSFET-এর গেটের সাথে সংযুক্ত থাকে, পালস ট্রান্সফরমার মাধ্যমিকের দ্বিতীয় আউটপুটটি দ্বিতীয় MOSFET-এর গেটের সাথে সংযুক্ত থাকে, এতে বৈশিষ্ট্যযুক্ত যে পালস ট্রান্সফরমার সেকেন্ডারির ​​প্রথম আউটপুটটিও সংযুক্ত থাকে। প্রথম ডিসচার্জ ট্রানজিস্টরের সাথে, এবং পালস ট্রান্সফরমার সেকেন্ডারির ​​দ্বিতীয় আউটপুটটিও দ্বিতীয় ডিসচার্জ ট্রানজিস্টরের সাথে সংযুক্ত। পালস ট্রান্সফরমারের প্রাথমিক দিকটি একটি এনার্জি স্টোরেজ এবং রিলিজ সার্কিটের সাথেও সংযুক্ত থাকে।

এনার্জি স্টোরেজ রিলিজ সার্কিটে একটি রোধ, একটি ক্যাপাসিটর এবং একটি ডায়োড অন্তর্ভুক্ত থাকে, রোধ এবং ক্যাপাসিটর সমান্তরালভাবে সংযুক্ত থাকে এবং পূর্বোক্ত সমান্তরাল সার্কিটটি ডায়োডের সাথে সিরিজে সংযুক্ত থাকে। ইউটিলিটি মডেলের একটি উপকারী প্রভাব রয়েছে ইউটিলিটি মডেলটিতে ট্রান্সফরমার সেকেন্ডারির ​​প্রথম আউটপুটের সাথে সংযুক্ত একটি প্রথম ডিসচার্জ ট্রানজিস্টরও রয়েছে এবং পালস ট্রান্সফরমারের দ্বিতীয় আউটপুটের সাথে সংযুক্ত একটি দ্বিতীয় ডিসচার্জ ট্রানজিস্টর রয়েছে, যাতে যখন পালস ট্রান্সফরমার আউটপুট কম হয়। স্তর, প্রথম MOSFET এবং দ্বিতীয় MOSFET দ্রুত নিষ্কাশন করা যেতে পারে MOSFET এর শাটডাউন গতি উন্নত করতে, এবং MOSFET ক্ষয়ক্ষতি হ্রাস করুন। PWM কন্ট্রোল চিপের সংকেত প্রাথমিক আউটপুট এবং পালস ট্রান্সফরমার প্রাইমারীর মধ্যে সংকেত পরিবর্ধন MOSFET এর সাথে সংযুক্ত থাকে, যা সংকেত পরিবর্ধনের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। PWM কন্ট্রোল চিপের সিগন্যাল আউটপুট এবং প্রাথমিক পালস ট্রান্সফরমার সিগন্যাল পরিবর্ধনের জন্য একটি MOSFET এর সাথে সংযুক্ত থাকে, যা PWM সিগন্যালের ড্রাইভিং ক্ষমতাকে আরও উন্নত করতে পারে।

প্রাথমিক পালস ট্রান্সফরমারটি একটি শক্তি সঞ্চয়স্থান রিলিজ সার্কিটের সাথেও সংযুক্ত থাকে, যখন PWM সংকেত নিম্ন স্তরে থাকে, তখন শক্তি সঞ্চয়স্থান রিলিজ সার্কিট পালস ট্রান্সফরমারে সঞ্চিত শক্তি ছেড়ে দেয় যখন PWM উচ্চ স্তরে থাকে, এটি নিশ্চিত করে যে গেট প্রথম MOSFET এবং দ্বিতীয় MOSFET-এর উৎস অত্যন্ত কম, যা হস্তক্ষেপ প্রতিরোধে ভূমিকা পালন করে।

একটি নির্দিষ্ট বাস্তবায়নে, সংকেত পরিবর্ধনের জন্য একটি কম-পাওয়ার MOSFET Q1 PWM কন্ট্রোল চিপের সিগন্যাল আউটপুট টার্মিনাল A এবং পালস ট্রান্সফরমার Tl-এর প্রাথমিকের মধ্যে সংযুক্ত থাকে, পালস ট্রান্সফরমারের সেকেন্ডারির ​​প্রথম আউটপুট টার্মিনালটি সংযুক্ত থাকে। ডায়োড D1 এর মাধ্যমে প্রথম MOSFET Q4 এর গেট এবং ড্রাইভিং প্রতিরোধক Rl, দ্বিতীয় আউটপুট পালস ট্রান্সফরমারের মাধ্যমিকের টার্মিনালটি ডায়োড D2 এবং ড্রাইভিং প্রতিরোধক R2 এর মাধ্যমে দ্বিতীয় MOSFET Q5 এর গেটের সাথে সংযুক্ত রয়েছে এবং পালস ট্রান্সফরমারের মাধ্যমিকের প্রথম আউটপুট টার্মিনালটিও প্রথম ড্রেন ট্রায়োড Q2 এর সাথে সংযুক্ত রয়েছে, এবং দ্বিতীয় ড্রেন ট্রায়োড Q3 দ্বিতীয় ড্রেন ট্রায়োড Q3 এর সাথেও সংযুক্ত। MOSFET Q5, পালস ট্রান্সফরমার সেকেন্ডারির ​​প্রথম আউটপুট টার্মিনালটিও একটি প্রথম ড্রেন ট্রানজিস্টর Q2 এর সাথে সংযুক্ত, এবং পালস ট্রান্সফরমার সেকেন্ডারির ​​দ্বিতীয় আউটপুট টার্মিনালটিও একটি দ্বিতীয় ড্রেন ট্রানজিস্টর Q3 এর সাথে সংযুক্ত।

প্রথম MOSFET Q4 এর গেটটি একটি ড্রেন প্রতিরোধক R3 এর সাথে সংযুক্ত এবং দ্বিতীয় MOSFET Q5 এর গেটটি একটি ড্রেন প্রতিরোধক R4 এর সাথে সংযুক্ত। পালস ট্রান্সফরমার Tl-এর প্রাথমিক একটি এনার্জি স্টোরেজ এবং রিলিজ সার্কিটের সাথেও সংযুক্ত, এবং এনার্জি স্টোরেজ এবং রিলিজ সার্কিটে একটি রোধ R5, একটি ক্যাপাসিটর Cl এবং একটি ডায়োড D3 রয়েছে এবং রোধ R5 এবং ক্যাপাসিটর Cl সংযুক্ত রয়েছে। সমান্তরাল, এবং পূর্বোক্ত সমান্তরাল সার্কিট ডায়োড D3 এর সাথে সিরিজে সংযুক্ত। PWM কন্ট্রোল চিপ থেকে PWM সিগন্যাল আউটপুট লো-পাওয়ার MOSFET Q2 এর সাথে সংযুক্ত, এবং কম-পাওয়ার MOSFET Q2 পালস ট্রান্সফরমারের সেকেন্ডারির ​​সাথে সংযুক্ত। লো-পাওয়ার MOSFET Ql দ্বারা প্রশস্ত করা হয় এবং পালস ট্রান্সফরমার Tl-এর প্রাথমিকে আউটপুট করা হয়। যখন PWM সংকেত উচ্চ হয়, প্রথম আউটপুট টার্মিনাল এবং দ্বিতীয় আউটপুট টার্মিনাল পালস ট্রান্সফরমারের সেকেন্ডারি Tl আউটপুট উচ্চ স্তরের সংকেত প্রথম MOSFET Q4 এবং দ্বিতীয় MOSFET Q5 পরিচালনা করতে।

PWM সংকেত কম হলে, প্রথম আউটপুট এবং পালস ট্রান্সফরমারের দ্বিতীয় আউটপুট Tl সেকেন্ডারি আউটপুট নিম্ন স্তরের সংকেত, প্রথম ড্রেন ট্রানজিস্টর Q2 এবং দ্বিতীয় ড্রেন ট্রানজিস্টর Q3 কন্ডাকশন, প্রথম MOSFETQ4 গেট সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স ড্রেন রোধ R3 এর মাধ্যমে, স্রাবের জন্য প্রথম ড্রেন ট্রানজিস্টর Q2, দ্বিতীয় MOSFETQ5 গেট উৎস ড্রেন রোধ R4 এর মাধ্যমে ক্যাপাসিট্যান্স, ডিসচার্জের জন্য দ্বিতীয় ড্রেন ট্রানজিস্টর Q3, দ্বিতীয় MOSFETQ5 গেট সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স ড্রেন রেসিস্টর R4 এর মাধ্যমে, ডিসচার্জের জন্য দ্বিতীয় ড্রেন ট্রানজিস্টর Q3, দ্বিতীয় MOSFETQ5 গেট সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স ড্রেন রেসিস্টর R4 এর মাধ্যমে, স্রাব জন্য ট্রানজিস্টর Q3. দ্বিতীয় MOSFETQ5 গেট সোর্স ক্যাপাসিট্যান্সটি ড্রেন রেসিস্টর R4 এবং দ্বিতীয় ড্রেন ট্রানজিস্টর Q3 এর মাধ্যমে ডিসচার্জ করা হয়, যাতে প্রথম MOSFET Q4 এবং দ্বিতীয় MOSFET Q5 দ্রুত বন্ধ করা যায় এবং পাওয়ার লস কমানো যায়।

যখন PWM সিগন্যাল কম থাকে, তখন রেজিস্টর R5, ক্যাপাসিটর Cl এবং ডায়োড D3 দ্বারা গঠিত সঞ্চিত শক্তি রিলিজ সার্কিট PWM বেশি হলে পালস ট্রান্সফরমারে সঞ্চিত শক্তি ছেড়ে দেয়, এটি নিশ্চিত করে যে প্রথম MOSFET Q4 এবং দ্বিতীয় MOSFET-এর গেট উৎস। Q5 অত্যন্ত কম, যা বিরোধী হস্তক্ষেপের উদ্দেশ্যে কাজ করে। ডায়োড ডিএল এবং ডায়োড ডি 2 আউটপুট কারেন্টকে একমুখীভাবে পরিচালনা করে, এইভাবে PWM তরঙ্গরূপের গুণমান নিশ্চিত করে এবং একই সময়ে, এটি একটি নির্দিষ্ট পরিমাণে হস্তক্ষেপ বিরোধী ভূমিকাও পালন করে।