মৌলিক শক্তি সরবরাহ কাঠামোদ্রুত চার্জিংQC ফ্লাইব্যাক + সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন এসএসআর ব্যবহার করে। ফ্লাইব্যাক রূপান্তরকারীদের জন্য, প্রতিক্রিয়ার নমুনা পদ্ধতি অনুসারে, এটিকে ভাগ করা যেতে পারে: প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) নিয়ন্ত্রণ এবং মাধ্যমিক দিক (সেকেন্ডারি) নিয়ন্ত্রণ; PWM কন্ট্রোলারের অবস্থান অনুযায়ী। এটিকে ভাগ করা যায়: প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) নিয়ন্ত্রণ এবং মাধ্যমিক দিক (মাধ্যমিক) নিয়ন্ত্রণ। মনে হচ্ছে MOSFET এর সাথে এর কোন সম্পর্ক নেই। তাই,ওলুকেজিজ্ঞাসা করতে হবে: MOSFET কোথায় লুকানো আছে? এটা কি ভূমিকা পালন করেছে?
1. প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) অ্যাডজাস্টমেন্ট এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) অ্যাডজাস্টমেন্ট
আউটপুট ভোল্টেজের স্থায়িত্বের জন্য ইনপুট ভোল্টেজ এবং আউটপুট লোডের পরিবর্তনগুলি সামঞ্জস্য করার জন্য PWM প্রধান নিয়ামকের কাছে পরিবর্তনের তথ্য পাঠানোর জন্য একটি প্রতিক্রিয়া লিঙ্কের প্রয়োজন। বিভিন্ন প্রতিক্রিয়ার নমুনা পদ্ধতি অনুসারে, এটিকে প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) সমন্বয় এবং দ্বিতীয় দিকের (সেকেন্ডারি) সমন্বয়ে ভাগ করা যেতে পারে, যেমন চিত্র 1 এবং 2 এ দেখানো হয়েছে।
প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) রেগুলেশনের ফিডব্যাক সিগন্যাল সরাসরি আউটপুট ভোল্টেজ থেকে নেওয়া হয় না, তবে অক্জিলিয়ারী উইন্ডিং বা প্রাথমিক প্রাইমারি উইন্ডিং থেকে নেওয়া হয় যা আউটপুট ভোল্টেজের সাথে একটি নির্দিষ্ট আনুপাতিক সম্পর্ক বজায় রাখে। এর বৈশিষ্ট্য হল:
① পরোক্ষ প্রতিক্রিয়া পদ্ধতি, দুর্বল লোড নিয়ন্ত্রণ হার এবং দুর্বল নির্ভুলতা;
② সহজ এবং কম খরচে;
③ বিচ্ছিন্ন optocoupler জন্য কোন প্রয়োজন নেই.
সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) রেগুলেশনের ফিডব্যাক সিগন্যালটি সরাসরি আউটপুট ভোল্টেজ থেকে একটি অপটোকপলার এবং TL431 ব্যবহার করে নেওয়া হয়। এর বৈশিষ্ট্য হল:
① সরাসরি প্রতিক্রিয়া পদ্ধতি, ভাল লোড নিয়ন্ত্রণ হার, রৈখিক নিয়ন্ত্রণ হার এবং উচ্চ নির্ভুলতা;
② সমন্বয় সার্কিট জটিল এবং ব্যয়বহুল;
③ এটি optocoupler বিচ্ছিন্ন করা প্রয়োজন, যা সময়ের সাথে সাথে বার্ধক্যজনিত সমস্যা রয়েছে।
2. সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) ডায়োড সংশোধন এবংMOSFETসিঙ্ক্রোনাস সংশোধন SSR
ফ্লাইব্যাক কনভার্টারের সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সাধারণত দ্রুত চার্জিংয়ের বড় আউটপুট কারেন্টের কারণে ডায়োড সংশোধন ব্যবহার করে। বিশেষ করে সরাসরি চার্জিং বা ফ্ল্যাশ চার্জিংয়ের জন্য, আউটপুট কারেন্ট 5A এর মতো বেশি। দক্ষতা উন্নত করার জন্য, MOSFET কে ডায়োডের পরিবর্তে রেকটিফায়ার হিসাবে ব্যবহার করা হয়, যাকে সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন SSR বলা হয়, যেমনটি চিত্র 3 এবং 4 এ দেখানো হয়েছে।
সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) ডায়োড সংশোধনের বৈশিষ্ট্য:
① সহজ, কোন অতিরিক্ত ড্রাইভ কন্ট্রোলার প্রয়োজন হয় না, এবং খরচ কম;
② যখন আউটপুট বর্তমান বড় হয়, দক্ষতা কম হয়;
③ উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা।
সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) MOSFET সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনের বৈশিষ্ট্য:
① জটিল, অতিরিক্ত ড্রাইভ কন্ট্রোলার এবং উচ্চ খরচ প্রয়োজন;
② যখন আউটপুট বর্তমান বড় হয়, দক্ষতা উচ্চ হয়;
③ ডায়োডের সাথে তুলনা করে, তাদের নির্ভরযোগ্যতা কম।
ব্যবহারিক প্রয়োগে, সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন SSR-এর MOSFET সাধারণত ড্রাইভিং সহজতর করার জন্য উচ্চ প্রান্ত থেকে নিম্ন প্রান্তে সরানো হয়, যেমন চিত্র 5 এ দেখানো হয়েছে।
সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন এসএসআর-এর হাই-এন্ড MOSFET-এর বৈশিষ্ট্য:
① এটির জন্য বুটস্ট্র্যাপ ড্রাইভ বা ভাসমান ড্রাইভ প্রয়োজন, যা ব্যয়বহুল;
② ভালো ইএমআই।
নিম্ন প্রান্তে স্থাপিত সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন SSR MOSFET এর বৈশিষ্ট্য:
① সরাসরি ড্রাইভ, সাধারণ ড্রাইভ এবং কম খরচে;
② দুর্বল ইএমআই।
3. প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) কন্ট্রোল এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) কন্ট্রোল
PWM প্রধান নিয়ামক প্রাথমিক দিকে (প্রাথমিক) স্থাপন করা হয়। এই কাঠামোকে প্রাথমিক পার্শ্ব (প্রাথমিক) নিয়ন্ত্রণ বলা হয়। আউটপুট ভোল্টেজ, লোড রেগুলেশন রেট এবং লিনিয়ার রেগুলেশন রেট এর যথার্থতা উন্নত করার জন্য, প্রাথমিক দিকের (প্রাথমিক) নিয়ন্ত্রণের জন্য একটি ফিডব্যাক লিঙ্ক তৈরি করার জন্য একটি বহিরাগত অপটোকপলার এবং TL431 প্রয়োজন। সিস্টেম ব্যান্ডউইথ ছোট এবং প্রতিক্রিয়া গতি ধীর।
যদি PWM প্রধান নিয়ামকটি গৌণ দিকে (সেকেন্ডারি) স্থাপন করা হয়, তাহলে অপটোকপলার এবং TL431 সরানো যেতে পারে, এবং আউটপুট ভোল্টেজ সরাসরি নিয়ন্ত্রিত এবং দ্রুত প্রতিক্রিয়ার সাথে সামঞ্জস্য করা যেতে পারে। এই কাঠামোকে সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) নিয়ন্ত্রণ বলা হয়।
প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) নিয়ন্ত্রণের বৈশিষ্ট্য:
① Optocoupler এবং TL431 প্রয়োজন, এবং প্রতিক্রিয়া গতি ধীর;
② আউটপুট সুরক্ষার গতি ধীর।
③ সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী ক্রমাগত মোড সিসিএম-এ, গৌণ দিকের (সেকেন্ডারি) একটি সিঙ্ক্রোনাইজেশন সংকেত প্রয়োজন।
মাধ্যমিক (সেকেন্ডারি) নিয়ন্ত্রণের বৈশিষ্ট্য:
① আউটপুট সরাসরি সনাক্ত করা হয়, কোন optocoupler এবং TL431 প্রয়োজন হয় না, প্রতিক্রিয়া গতি দ্রুত, এবং আউটপুট সুরক্ষা গতি দ্রুত;
② সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET সিঙ্ক্রোনাইজেশন সিগন্যালের প্রয়োজন ছাড়াই সরাসরি চালিত হয়; প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) হাই-ভোল্টেজ MOSFET-এর ড্রাইভিং সিগন্যাল ট্রান্সমিট করার জন্য অতিরিক্ত ডিভাইস যেমন পালস ট্রান্সফরমার, ম্যাগনেটিক কাপলিং বা ক্যাপাসিটিভ কাপলারের প্রয়োজন হয়।
③ প্রাইমারি সাইডের (প্রাথমিক) একটি স্টার্টিং সার্কিট প্রয়োজন, অথবা সেকেন্ডারি সাইডে (সেকেন্ডারি) শুরু করার জন্য একটি অক্জিলিয়ারী পাওয়ার সাপ্লাই আছে।
4. ক্রমাগত CCM মোড বা অবিচ্ছিন্ন DCM মোড
ফ্লাইব্যাক কনভার্টার ক্রমাগত সিসিএম মোডে বা অবিচ্ছিন্ন ডিসিএম মোডে কাজ করতে পারে। যদি একটি সুইচিং চক্রের শেষে সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) ওয়াইন্ডিং-এর কারেন্ট 0-এ পৌঁছায়, তাহলে একে বিচ্ছিন্ন DCM মোড বলা হয়। যদি একটি স্যুইচিং চক্রের শেষে সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) ওয়াইন্ডিংয়ের কারেন্ট 0 না হয়, তাহলে এটিকে অবিচ্ছিন্ন CCM মোড বলা হয়, যেমনটি চিত্র 8 এবং 9 এ দেখানো হয়েছে।
এটি চিত্র 8 এবং চিত্র 9 থেকে দেখা যায় যে ফ্লাইব্যাক কনভার্টারের বিভিন্ন অপারেটিং মোডে সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন এসএসআর-এর কার্যকারী অবস্থাগুলি আলাদা, যার মানে হল সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন SSR-এর নিয়ন্ত্রণ পদ্ধতিগুলিও আলাদা।
যদি মৃত সময় উপেক্ষা করা হয়, ক্রমাগত CCM মোডে কাজ করার সময়, সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন SSR এর দুটি অবস্থা থাকে:
① প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) হাই-ভোল্টেজ MOSFET চালু আছে, এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET বন্ধ আছে;
② প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) হাই-ভোল্টেজ MOSFET বন্ধ, এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET চালু আছে।
একইভাবে, যদি মৃত সময় উপেক্ষা করা হয়, অবিচ্ছিন্ন DCM মোডে কাজ করার সময় সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন SSR-এর তিনটি অবস্থা থাকে:
① প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) হাই-ভোল্টেজ MOSFET চালু আছে, এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET বন্ধ আছে;
② প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) হাই-ভোল্টেজ MOSFET বন্ধ করা হয়েছে, এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET চালু আছে;
③ প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) হাই-ভোল্টেজ MOSFET বন্ধ করা হয়েছে, এবং সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET বন্ধ করা হয়েছে।
5. একটানা সিসিএম মোডে সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন এসএসআর
যদি ফাস্ট-চার্জ ফ্লাইব্যাক কনভার্টারটি ক্রমাগত CCM মোডে কাজ করে, প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) নিয়ন্ত্রণ পদ্ধতি, সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর শাটডাউন নিয়ন্ত্রণ করতে প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) থেকে একটি সিঙ্ক্রোনাইজেশন সংকেত প্রয়োজন।
নিম্নোক্ত দুটি পদ্ধতি সাধারণত মাধ্যমিক দিকের (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস ড্রাইভ সংকেত পেতে ব্যবহৃত হয়:
(1) চিত্র 10-এ দেখানো হিসাবে সরাসরি সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) উইন্ডিং ব্যবহার করুন;
(2) অতিরিক্ত বিচ্ছিন্নতা উপাদান ব্যবহার করুন যেমন পালস ট্রান্সফরমার প্রাথমিক দিক (প্রাথমিক) থেকে দ্বিতীয় দিকে (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস ড্রাইভ সংকেত প্রেরণ করতে, যেমন চিত্র 12-এ দেখানো হয়েছে।
সিঙ্ক্রোনাস ড্রাইভ সিগন্যাল পাওয়ার জন্য সরাসরি সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) উইন্ডিং ব্যবহার করে, সিঙ্ক্রোনাস ড্রাইভ সিগন্যালের নির্ভুলতা নিয়ন্ত্রণ করা খুব কঠিন এবং অপ্টিমাইজ করা দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা অর্জন করা কঠিন। কিছু কোম্পানি এমনকি নিয়ন্ত্রণের সঠিকতা উন্নত করতে ডিজিটাল কন্ট্রোলার ব্যবহার করে, যেমন চিত্র 11 শো-তে দেখানো হয়েছে।
সিঙ্ক্রোনাস ড্রাইভিং সংকেত পেতে একটি পালস ট্রান্সফরমার ব্যবহার করে উচ্চ নির্ভুলতা আছে, কিন্তু খরচ তুলনামূলকভাবে বেশি।
সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) কন্ট্রোল মেথড সাধারণত একটি পালস ট্রান্সফরমার বা ম্যাগনেটিক কাপলিং পদ্ধতি ব্যবহার করে সিঙ্ক্রোনাস ড্রাইভ সিগন্যালকে সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) থেকে প্রাইমারি সাইডে (প্রাথমিক) ট্রান্সমিট করতে, যেমনটি চিত্র 7.v এ দেখানো হয়েছে।
6. বিচ্ছিন্ন ডিসিএম মোডে সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন এসএসআর
যদি দ্রুত চার্জ ফ্লাইব্যাক কনভার্টারটি অবিচ্ছিন্ন DCM মোডে কাজ করে। প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) কন্ট্রোল পদ্ধতি বা সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) কন্ট্রোল পদ্ধতি যাই হোক না কেন, সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর D এবং S ভোল্টেজ ড্রপগুলি সরাসরি সনাক্ত এবং নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে।
(1) সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET চালু করা
যখন সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর VDS-এর ভোল্টেজ ইতিবাচক থেকে নেতিবাচক তে পরিবর্তিত হয়, তখন অভ্যন্তরীণ পরজীবী ডায়োড চালু হয় এবং একটি নির্দিষ্ট বিলম্বের পরে, সিনক্রোনাস সংশোধনী MOSFET চালু হয়, যেমন চিত্র 13-এ দেখানো হয়েছে।
(2) সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET বন্ধ করা
সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET চালু হওয়ার পর, VDS=-Io*Rdson। যখন সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) উইন্ডিং কারেন্ট 0 এ কমে যায়, অর্থাৎ, যখন বর্তমান ডিটেকশন সিগন্যাল VDS-এর ভোল্টেজ নেগেটিভ থেকে 0 এ পরিবর্তিত হয়, তখন সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET বন্ধ হয়ে যায়, যেমনটি চিত্র 13 এ দেখানো হয়েছে।
ব্যবহারিক প্রয়োগে, সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) ওয়াইন্ডিং কারেন্ট 0 (VDS=0) পৌঁছানোর আগেই সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET বন্ধ হয়ে যায়। বিভিন্ন চিপ দ্বারা সেট করা বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজের মানগুলি ভিন্ন, যেমন -20mV, -50mV, -100mV, -200mV ইত্যাদি।
সিস্টেমের বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজ স্থির করা হয়েছে। বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজের পরম মান যত বেশি হবে, হস্তক্ষেপ ত্রুটি তত কম হবে এবং সঠিকতা তত ভাল হবে। যাইহোক, যখন আউটপুট লোড কারেন্ট Io কমে যায়, তখন সিঙ্ক্রোনাস রেক্টিফিকেশন MOSFET একটি বৃহত্তর আউটপুট কারেন্টে বন্ধ হয়ে যাবে এবং এর অভ্যন্তরীণ পরজীবী ডায়োড দীর্ঘ সময়ের জন্য সঞ্চালিত হবে, তাই চিত্র 14-এ দেখানো হিসাবে কার্যকারিতা হ্রাস পাবে।
উপরন্তু, যদি বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজের পরম মান খুব ছোট হয়। সিস্টেমের ত্রুটি এবং হস্তক্ষেপের কারণে সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET বন্ধ হয়ে যেতে পারে যখন সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) উইন্ডিং কারেন্ট 0 ছাড়িয়ে যায়, যার ফলে রিভার্স ইনফ্লো কারেন্ট হয়, যা দক্ষতা এবং সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতাকে প্রভাবিত করে।
উচ্চ-নির্ভুল বর্তমান সনাক্তকরণ সংকেত সিস্টেমের দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করতে পারে, কিন্তু ডিভাইসের খরচ বৃদ্ধি পাবে। বর্তমান সনাক্তকরণ সংকেতের যথার্থতা নিম্নলিখিত বিষয়গুলির সাথে সম্পর্কিত:
① বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজের সঠিকতা এবং তাপমাত্রা প্রবাহ;
② বায়াস ভোল্টেজ এবং অফসেট ভোল্টেজ, বায়াস কারেন্ট এবং অফসেট কারেন্ট এবং কারেন্ট এমপ্লিফায়ারের তাপমাত্রা প্রবাহ;
③ সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর অন-ভোল্টেজ Rdson-এর যথার্থতা এবং তাপমাত্রা প্রবাহ।
উপরন্তু, একটি সিস্টেমের দৃষ্টিকোণ থেকে, এটি ডিজিটাল নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে উন্নত করা যেতে পারে, বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজ পরিবর্তন করে এবং সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET ড্রাইভিং ভোল্টেজ পরিবর্তন করে।
যখন আউটপুট লোড কারেন্ট Io কমে যায়, যদি MOSFET পাওয়ারের ড্রাইভিং ভোল্টেজ কমে যায়, তাহলে সংশ্লিষ্ট MOSFET টার্ন-অন ভোল্টেজ Rdson বৃদ্ধি পায়। চিত্র 15-এ দেখানো হয়েছে, সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর প্রথম দিকে বন্ধ হওয়া এড়ানো, পরজীবী ডায়োডের সঞ্চালন সময় কমানো এবং সিস্টেমের কার্যকারিতা উন্নত করা সম্ভব।
এটি চিত্র 14 থেকে দেখা যায় যে যখন আউটপুট লোড কারেন্ট Io হ্রাস পায়, তখন বর্তমান সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজও হ্রাস পায়। এইভাবে, যখন আউটপুট কারেন্ট Io বড় হয়, তখন নিয়ন্ত্রণের সঠিকতা উন্নত করতে একটি উচ্চতর কারেন্ট সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজ ব্যবহার করা হয়; যখন আউটপুট কারেন্ট Io কম থাকে, একটি নিম্ন কারেন্ট সনাক্তকরণ রেফারেন্স ভোল্টেজ ব্যবহার করা হয়। এটি সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর সঞ্চালন সময়কেও উন্নত করতে পারে এবং সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করতে পারে।
যখন উপরোক্ত পদ্ধতিটি উন্নতির জন্য ব্যবহার করা যায় না, তখন Schottky ডায়োডগুলিও সমান্তরালভাবে সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET-এর উভয় প্রান্তে সংযুক্ত করা যেতে পারে। সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET আগে থেকে বন্ধ করার পরে, একটি বহিরাগত Schottky ডায়োড ফ্রিহুইলিংয়ের জন্য সংযুক্ত করা যেতে পারে।
7. সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) নিয়ন্ত্রণ CCM+DCM হাইব্রিড মোড
বর্তমানে, মোবাইল ফোন দ্রুত চার্জ করার জন্য সাধারণত দুটি সাধারণভাবে ব্যবহৃত সমাধান রয়েছে:
(1) প্রাইমারি সাইড (প্রাথমিক) কন্ট্রোল এবং ডিসিএম ওয়ার্কিং মোড। সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর জন্য সিঙ্ক্রোনাইজেশন সিগন্যালের প্রয়োজন নেই।
(2) সেকেন্ডারি (সেকেন্ডারি) কন্ট্রোল, CCM+DCM মিশ্র অপারেটিং মোড (যখন আউটপুট লোড কারেন্ট কমে যায়, CCM থেকে DCM পর্যন্ত)। সেকেন্ডারি সাইড (সেকেন্ডারি) সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET সরাসরি চালিত, এবং এর টার্ন-অন এবং টার্ন-অফ লজিক নীতিগুলি চিত্র 16-এ দেখানো হয়েছে:
সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET চালু করা: যখন সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET-এর VDS-এর ভোল্টেজ ইতিবাচক থেকে নেতিবাচক হয়ে যায়, তখন এর অভ্যন্তরীণ পরজীবী ডায়োড চালু হয়। একটি নির্দিষ্ট বিলম্বের পরে, সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET চালু হয়।
সিঙ্ক্রোনাস সংশোধনী MOSFET বন্ধ করা হচ্ছে:
① যখন আউটপুট ভোল্টেজ সেট মানের থেকে কম হয়, তখন সিঙ্ক্রোনাস ক্লক সিগন্যাল MOSFET এর টার্ন-অফ নিয়ন্ত্রণ করতে এবং CCM মোডে কাজ করতে ব্যবহৃত হয়।
② যখন আউটপুট ভোল্টেজ সেট মানের চেয়ে বেশি হয়, তখন সিঙ্ক্রোনাস ঘড়ি সংকেত রক্ষা করা হয় এবং কাজের পদ্ধতিটি DCM মোডের মতোই। VDS=-Io*Rdson সংকেত সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন MOSFET এর শাটডাউন নিয়ন্ত্রণ করে।
এখন, সবাই জানে যে সম্পূর্ণ দ্রুত চার্জিং QC-তে MOSFET কী ভূমিকা পালন করে!
ওলুকে নিয়ে
Olukey এর মূল দল 20 বছর ধরে উপাদানগুলির উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করেছে এবং এর সদর দফতর শেনজেনে রয়েছে। প্রধান ব্যবসা: MOSFET, MCU, IGBT এবং অন্যান্য ডিভাইস। প্রধান এজেন্ট পণ্য হল WINSOK এবং Cmsemicon। পণ্যগুলি সামরিক শিল্প, শিল্প নিয়ন্ত্রণ, নতুন শক্তি, চিকিৎসা পণ্য, 5G, ইন্টারনেট অফ থিংস, স্মার্ট হোমস এবং বিভিন্ন ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স পণ্যগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। মূল বিশ্বব্যাপী সাধারণ এজেন্টের সুবিধার উপর নির্ভর করে, আমরা চীনা বাজারের উপর ভিত্তি করে। আমরা আমাদের গ্রাহকদের বিভিন্ন উন্নত হাই-টেক ইলেকট্রনিক উপাদানের সাথে পরিচয় করিয়ে দিতে, উচ্চ-মানের পণ্য উৎপাদনে নির্মাতাদের সহায়তা করতে এবং ব্যাপক পরিষেবা প্রদান করতে আমাদের ব্যাপক সুবিধাজনক পরিষেবাগুলি ব্যবহার করি।
-
গেট ক্যাপাসিট্যান্স, অন-রেজিস্ট্যান্স এবং অন্যান্য প্যারাম...
-
MOSFET 101: চূড়ান্ত বিগিনার গাইড...
-
MOSFET ড্রাইভার সার্কিট প্রয়োজনীয়তা
-
একটি MOSFET ভাল বা খারাপ কিনা তা নির্ধারণ কিভাবে?
-
MOSFET ওভারকারেন্ট সুরক্ষা সার্কিট এড়াতে ...
-
PMOSFET কি, আপনি কি জানেন?
-
MOSFET নির্বাচনের গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ
-
একটি MOSFET এর তিনটি পিন, আমি কিভাবে তাদের বলতে পারি...
-
2N7000 MOSFET: আবেদনের সম্পূর্ণ নির্দেশিকা...
-
MOSFET এর প্রাথমিক বোঝাপড়া
-
আমি কিভাবে একটি Mosfets মধ্যে পার্থক্য বলতে পারি ...
-
MOSFET এবং IGBT এর মধ্যে পার্থক্য কি?...
-
এন-চ্যানেল MOSFET এবং Pc-এর মধ্যে পার্থক্য...
-
De rol van vermogens-MOSFET- apparaten
-
ছোট প্যাকেজ MOSFETs
-
আমার MOSFET যে গরম হচ্ছে ঠিক করতে আমি কি করতে পারি...
