একই উচ্চ শক্তি MOSFET, বিভিন্ন ড্রাইভ সার্কিট ব্যবহার বিভিন্ন সুইচিং বৈশিষ্ট্য পাবেন. ড্রাইভ সার্কিটের ভাল পারফরম্যান্সের ব্যবহার পাওয়ার স্যুইচিং ডিভাইসটিকে তুলনামূলকভাবে আদর্শ সুইচিং অবস্থায় কাজ করতে পারে, যখন স্যুইচিং সময়কে ছোট করে, সুইচিং ক্ষতি কমাতে পারে, অপারেটিং দক্ষতা, নির্ভরযোগ্যতা এবং সুরক্ষার ইনস্টলেশনটি অত্যন্ত তাৎপর্যপূর্ণ। অতএব, ড্রাইভ সার্কিটের সুবিধা এবং অসুবিধাগুলি সরাসরি প্রধান সার্কিটের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে, ড্রাইভ সার্কিটের নকশার যৌক্তিকতা ক্রমবর্ধমান গুরুত্বপূর্ণ। Thyristor ছোট আকার, হালকা ওজন, উচ্চ দক্ষতা, দীর্ঘ জীবন, ব্যবহার করা সহজ, সহজেই সংশোধনকারী এবং বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল বন্ধ করতে পারে, এবং রেকটিফায়ার বা বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল কারেন্টের আকার পরিবর্তনের ভিত্তিতে সার্কিট কাঠামো পরিবর্তন করতে পারে না। আইজিবিটি একটি যৌগিক এর ডিভাইসMOSFETএবং GTR, যার বৈশিষ্ট্য রয়েছে দ্রুত সুইচিং গতি, ভাল তাপীয় স্থিতিশীলতা, ছোট ড্রাইভিং শক্তি এবং সাধারণ ড্রাইভ সার্কিট এবং এর সুবিধা রয়েছে ছোট অন-স্টেট ভোল্টেজ ড্রপ, উচ্চ সহ্য ভোল্টেজ এবং উচ্চ গ্রহণযোগ্য কারেন্ট। আইজিবিটি একটি মূলধারার পাওয়ার আউটপুট ডিভাইস হিসাবে, বিশেষত উচ্চ-শক্তির জায়গায়, সাধারণত বিভিন্ন বিভাগে ব্যবহৃত হয়েছে।
উচ্চ-শক্তি MOSFET স্যুইচিং ডিভাইসের জন্য আদর্শ ড্রাইভিং সার্কিট নিম্নলিখিত প্রয়োজনীয়তা পূরণ করা উচিত:
(1) যখন পাওয়ার সুইচিং টিউবটি চালু করা হয়, তখন ড্রাইভিং সার্কিট একটি দ্রুত-বর্ধমান বেস কারেন্ট সরবরাহ করতে পারে, যাতে এটি চালু করার সময় যথেষ্ট ড্রাইভিং শক্তি থাকে, এইভাবে টার্ন-অন ক্ষতি হ্রাস করে।
(2) স্যুইচিং টিউব কন্ডাকশনের সময়, MOSFET ড্রাইভার সার্কিট দ্বারা প্রদত্ত বেস কারেন্ট নিশ্চিত করতে পারে যে পাওয়ার টিউবটি যে কোনও লোড অবস্থায় সম্পৃক্ত পরিবাহী অবস্থায় আছে, তুলনামূলকভাবে কম পরিবাহী ক্ষতি নিশ্চিত করে। সঞ্চয়স্থানের সময় কমানোর জন্য, শাটডাউন করার আগে ডিভাইসটি একটি গুরুতর স্যাচুরেশন অবস্থায় থাকা উচিত।
(3) শাটডাউন, ড্রাইভ সার্কিটকে পর্যাপ্ত রিভার্স বেস ড্রাইভ সরবরাহ করা উচিত যাতে স্টোরেজ সময় কমাতে বেস অঞ্চলে অবশিষ্ট ক্যারিয়ারগুলি দ্রুত আঁকতে হয়; এবং রিভার্স বায়াস কাটঅফ ভোল্টেজ যোগ করুন, যাতে ল্যান্ডিং টাইম কমাতে কালেক্টর কারেন্ট দ্রুত পড়ে। অবশ্যই, শাটডাউন সম্পূর্ণ করার জন্য থাইরিস্টরের শাটডাউন এখনও প্রধানত বিপরীত অ্যানোড ভোল্টেজ ড্রপ দ্বারা।
বর্তমানে, একটি তুলনীয় সংখ্যা সঙ্গে thyristor ড্রাইভ শুধুমাত্র ট্রান্সফরমার বা optocoupler বিচ্ছিন্নতা কম ভোল্টেজ শেষ এবং উচ্চ ভোল্টেজ শেষ আলাদা করার জন্য, এবং তারপর রূপান্তর সার্কিট মাধ্যমে thyristor পরিবাহী চালনা. আইজিবিটি-তে আরও আইজিবিটি ড্রাইভ মডিউলের বর্তমান ব্যবহারের জন্য, তবে সমন্বিত আইজিবিটি, সিস্টেম স্ব-রক্ষণাবেক্ষণ, স্ব-নির্ণয় এবং আইপিএমের অন্যান্য কার্যকরী মডিউল।
এই কাগজে, থাইরিস্টরের জন্য আমরা ব্যবহার করি, পরীক্ষামূলক ড্রাইভ সার্কিট ডিজাইন করি এবং এটি থাইরিস্টর চালাতে পারে তা প্রমাণ করার জন্য আসল পরীক্ষা বন্ধ করি। IGBT-এর ড্রাইভের জন্য, এই কাগজটি প্রধানত বর্তমান প্রধান ধরনের IGBT ড্রাইভ, সেইসাথে তাদের সংশ্লিষ্ট ড্রাইভ সার্কিট এবং সিমুলেশন পরীক্ষা বন্ধ করার জন্য সর্বাধিক ব্যবহৃত অপ্টোকপলার আইসোলেশন ড্রাইভের পরিচয় দেয়।
2. থাইরিস্টর ড্রাইভ সার্কিট স্টাডি সাধারণভাবে থাইরিস্টর অপারেটিং শর্তগুলি হল:
(1) থাইরিস্টর রিভার্স অ্যানোড ভোল্টেজ গ্রহণ করে, গেট যে ধরনের ভোল্টেজ গ্রহণ করুক না কেন, থাইরিস্টর বন্ধ অবস্থায় থাকে।
(2) থাইরিস্টর ফরোয়ার্ড অ্যানোড ভোল্টেজ গ্রহণ করে, শুধুমাত্র গেটের ক্ষেত্রে থাইরিস্টর চালু থাকা একটি ধনাত্মক ভোল্টেজ গ্রহণ করে।
(3) থাইরিস্টর পরিবাহী অবস্থায়, শুধুমাত্র একটি নির্দিষ্ট ধনাত্মক অ্যানোড ভোল্টেজ, গেট ভোল্টেজ নির্বিশেষে, থাইরিস্টর পরিবাহনের উপর জোর দেয়, অর্থাৎ, থাইরিস্টর পরিবাহনের পরে, গেটটি হারিয়ে যায়। (4) পরিবাহী অবস্থায় থাইরিস্টর, যখন প্রধান সার্কিট ভোল্টেজ (বা বর্তমান) শূন্যের কাছাকাছি কমে যায়, তখন থাইরিস্টর বন্ধ হয়ে যায়। আমরা থাইরিস্টর বেছে নিই TYN1025, এর প্রতিরোধ ভোল্টেজ হল 600V থেকে 1000V, বর্তমান 25A পর্যন্ত। এটির জন্য গেট ড্রাইভের ভোল্টেজ 10V থেকে 20V, ড্রাইভ কারেন্ট 4mA থেকে 40mA প্রয়োজন৷ এবং এর রক্ষণাবেক্ষণ কারেন্ট 50mA, ইঞ্জিন কারেন্ট 90mA। হয় DSP বা CPLD ট্রিগার সংকেত প্রশস্ততা 5V পর্যন্ত। প্রথমত, যতক্ষণ পর্যন্ত 5V এর প্রশস্ততা 24V, এবং তারপর একটি 2:1 আইসোলেশন ট্রান্সফরমারের মাধ্যমে 24V ট্রিগার সিগন্যালকে 12V ট্রিগার সিগন্যালে রূপান্তর করতে, যখন উপরের এবং নিম্ন ভোল্টেজ বিচ্ছিন্নতার কাজটি সম্পূর্ণ করে।
পরীক্ষামূলক সার্কিট ডিজাইন এবং বিশ্লেষণ
প্রথমত, বুস্ট সার্কিট, বিচ্ছিন্নতার কারণে ট্রান্সফরমার সার্কিটের পিছনের পর্যায়েMOSFETডিভাইসের 15V ট্রিগার সিগন্যাল প্রয়োজন, তাই প্রথমে 5V ট্রিগার সিগন্যালকে একটি 15V ট্রিগার সিগন্যালে, MC14504 5V সিগন্যালের মাধ্যমে, একটি 15V সিগন্যালে রূপান্তরিত করা এবং তারপর 15V ড্রাইভ সিগন্যাল শেপিং, চ্যানেল 2 এর আউটপুটে CD4050 এর মাধ্যমে প্রয়োজন। 5V ইনপুট সংকেতের সাথে সংযুক্ত, চ্যানেল 1 আউটপুট চ্যানেল 2 5V ইনপুট সংকেতের সাথে সংযুক্ত, চ্যানেল 1 15V ট্রিগার সংকেতের আউটপুটের সাথে সংযুক্ত।
দ্বিতীয় অংশটি হল আইসোলেশন ট্রান্সফরমার সার্কিট, সার্কিটের প্রধান কাজ হল: 15V ট্রিগার সিগন্যাল, থাইরিস্টর কন্ডাকশনের পিছনে ট্রিগার করতে 12V ট্রিগার সিগন্যালে রূপান্তরিত হয় এবং 15V ট্রিগার সংকেত এবং পিছনের মধ্যে দূরত্ব করতে মঞ্চ
সার্কিটের কাজের নীতি হল: এর কারণেMOSFET15V এর IRF640 ড্রাইভ ভোল্টেজ, তাই, প্রথমত, J1-এ 15V বর্গ তরঙ্গ সংকেত অ্যাক্সেস করতে, নিয়ন্ত্রক 1N4746 এর সাথে সংযুক্ত রোধ R4 এর মাধ্যমে, যাতে ট্রিগার ভোল্টেজ স্থিতিশীল থাকে, তবে ট্রিগার ভোল্টেজটি খুব বেশি নয়। , MOSFET বার্ন, এবং তারপর MOSFET IRF640 (আসলে, এটি একটি সুইচিং টিউব, খোলার এবং বন্ধের পিছনের প্রান্তের নিয়ন্ত্রণ। টার্ন-অন এবং টার্ন-অফের পিছনের প্রান্তটি নিয়ন্ত্রণ করুন), নিয়ন্ত্রণ করার পরে MOSFET-এর টার্ন-অন এবং টার্ন-অফ সময় নিয়ন্ত্রণ করতে সক্ষম হওয়ার জন্য ড্রাইভ সিগন্যালের ডিউটি চক্র। যখন MOSFET খোলা থাকে, তার ডি-পোল গ্রাউন্ডের সমতুল্য, যখন এটি খোলা থাকে তখন বন্ধ, 24 V এর সমতুল্য ব্যাক-এন্ড সার্কিটের পরে। এবং ট্রান্সফরমারটি 12 V আউটপুট সিগন্যালের ডান প্রান্ত তৈরি করতে ভোল্টেজ পরিবর্তনের মাধ্যমে হয়। . ট্রান্সফরমারের ডান প্রান্তটি একটি সংশোধনকারী সেতুর সাথে সংযুক্ত থাকে এবং তারপরে 12V সংকেতটি সংযোগকারী X1 থেকে আউটপুট হয়।
পরীক্ষার সময় সমস্যা হয়েছে
প্রথমত, পাওয়ার চালু করার সময় হঠাৎ ফিউজটি উড়িয়ে দেয় এবং পরে সার্কিট চেক করার সময় দেখা যায় প্রাথমিক সার্কিট ডিজাইনে সমস্যা ছিল। প্রাথমিকভাবে, এর সুইচিং টিউব আউটপুটের প্রভাবকে আরও ভাল করার জন্য, 24V গ্রাউন্ড এবং 15V গ্রাউন্ড সেপারেশন, যা MOSFET-এর গেট G পোলকে S পোলের পিছনের সমতুল্য করে তোলে, স্থগিত করা হয়, ফলে মিথ্যা ট্রিগারিং হয়। চিকিত্সা হল 24V এবং 15V গ্রাউন্ডকে একসাথে সংযুক্ত করা, এবং আবার পরীক্ষা বন্ধ করার জন্য, সার্কিটটি স্বাভাবিকভাবে কাজ করে। সার্কিট সংযোগ স্বাভাবিক, কিন্তু ড্রাইভ সংকেত, MOSFET তাপ, প্লাস ড্রাইভ সংকেত একটি সময়ের জন্য অংশগ্রহণ করার সময়, ফিউজ প্রস্ফুটিত হয়, এবং তারপর ড্রাইভ সংকেত যোগ করুন, ফিউজ সরাসরি প্রস্ফুটিত হয়। সার্কিটটি পরীক্ষা করে দেখুন যে ড্রাইভ সিগন্যালের উচ্চ স্তরের ডিউটি চক্রটি খুব বড়, ফলে MOSFET চালু করার সময়টি খুব দীর্ঘ। এই সার্কিটের নকশা তৈরি করে যখন MOSFET খোলা হয়, 24V সরাসরি MOSFET-এর প্রান্তে যোগ করা হয়, এবং একটি কারেন্ট-লিমিটিং প্রতিরোধক যোগ করেনি, যদি অন-টাইম কারেন্ট খুব বড় করার জন্য খুব দীর্ঘ হয়, MOSFET ক্ষতি, সংকেতের শুল্ক চক্র নিয়ন্ত্রণ করার প্রয়োজন খুব বড় হতে পারে না, সাধারণত 10% থেকে 20% বা তার বেশি।
2.3 ড্রাইভ সার্কিট যাচাইকরণ
ড্রাইভ সার্কিটের সম্ভাব্যতা যাচাই করার জন্য, আমরা একে অপরের সাথে সিরিজে সংযুক্ত থাইরিস্টর সার্কিট চালাতে ব্যবহার করি, থাইরিস্টর একে অপরের সাথে সিরিজে এবং তারপর সমান্তরাল বিরোধী, ইন্ডাকটিভ রিঅ্যাক্ট্যান্স সহ সার্কিটে অ্যাক্সেস, পাওয়ার সাপ্লাই। 380V এসি ভোল্টেজের উৎস।
MOSFET এই সার্কিটে, থাইরিস্টর Q2, Q8 ট্রিগার সংকেত G11 এবং G12 অ্যাক্সেসের মাধ্যমে, যখন Q5, Q11 G21, G22 অ্যাক্সেসের মাধ্যমে ট্রিগার সংকেত দেয়। থাইরিস্টর গেট স্তরে ড্রাইভ সংকেত প্রাপ্ত হওয়ার আগে, থাইরিস্টরের হস্তক্ষেপ-বিরোধী ক্ষমতা উন্নত করার জন্য, থাইরিস্টরের গেটটি একটি প্রতিরোধক এবং ক্যাপাসিটরের সাথে সংযুক্ত থাকে। এই সার্কিটটি ইন্ডাক্টরের সাথে সংযুক্ত এবং তারপর মূল সার্কিটে রাখা হয়। থাইরিস্টরের পরিবাহী কোণ নিয়ন্ত্রণ করার পর প্রধান সার্কিট টাইমে বৃহৎ সূচনাকারীকে নিয়ন্ত্রণ করার জন্য, অর্ধচক্রের ট্রিগার সংকেত পার্থক্যের ফেজ কোণের উপরের এবং নিম্ন সার্কিটগুলি, উপরের G11 এবং G12 সর্বত্র একটি ট্রিগার সংকেত। বিচ্ছিন্নতা ট্রান্সফরমারের সামনের পর্যায়ের ড্রাইভ সার্কিটের মাধ্যমে একে অপরের থেকে বিচ্ছিন্ন করা হয়, নীচের G21 এবং G22ও একইভাবে সংকেত থেকে বিচ্ছিন্ন হয়। দুটি ট্রিগার সংকেত অ্যান্টি-প্যারালাল থাইরিস্টর সার্কিট ইতিবাচক এবং নেতিবাচক পরিবাহীকে ট্রিগার করে, উপরে 1 চ্যানেল পুরো থাইরিস্টর সার্কিট ভোল্টেজের সাথে সংযুক্ত থাকে, থাইরিস্টর পরিবাহিতে এটি 0 হয়ে যায় এবং 2, 3 চ্যানেল থাইরিস্টর সার্কিটের সাথে সংযুক্ত থাকে উপরে এবং নীচে। রাস্তার ট্রিগার সংকেত, 4 চ্যানেল পুরো থাইরিস্টর কারেন্টের প্রবাহ দ্বারা পরিমাপ করা হয়।
2 চ্যানেল একটি ইতিবাচক ট্রিগার সংকেত পরিমাপ করেছে, থাইরিস্টর সঞ্চালনের উপরে ট্রিগার হয়েছে, বর্তমান ইতিবাচক; 3 চ্যানেল একটি বিপরীত ট্রিগার সংকেত পরিমাপ করে, থাইরিস্টর সঞ্চালনের নিম্ন সার্কিটকে ট্রিগার করে, বর্তমানটি নেতিবাচক।
3. সেমিনারের আইজিবিটি ড্রাইভ সার্কিট আইজিবিটি ড্রাইভ সার্কিটের অনেকগুলি বিশেষ অনুরোধ রয়েছে, সংক্ষিপ্ত:
(1) ভোল্টেজ পালসের বৃদ্ধি এবং পতনের হার যথেষ্ট বড় হওয়া উচিত। igbt চালু হলে, খাড়া গেটের ভোল্টেজের অগ্রবর্তী প্রান্তটি গেটের মধ্যে G এবং ইমিটার E-তে যোগ করা হয়, যাতে এটি দ্রুত চালু হয় যাতে টার্ন অন লস কমাতে দ্রুততম সময়ে পৌঁছানো যায়। আইজিবিটি শাটডাউনে, গেট ড্রাইভ সার্কিটটি আইজিবিটি ল্যান্ডিং প্রান্ত প্রদান করা উচিত খুব খাড়া শাটডাউন ভোল্টেজ, এবং উপযুক্ত বিপরীত পক্ষপাত ভোল্টেজের মধ্যে আইজিবিটি গেট জি এবং ইমিটার ই, যাতে আইজিবিটি দ্রুত শাটডাউন, শাটডাউনের সময় কমিয়ে দেয়। শাটডাউন ক্ষতি
(2) IGBT পরিবাহনের পরে, গেট ড্রাইভ সার্কিট দ্বারা প্রদত্ত ড্রাইভ ভোল্টেজ এবং কারেন্ট আইজিবিটি ড্রাইভ ভোল্টেজ এবং কারেন্টের জন্য পর্যাপ্ত প্রশস্ততা হওয়া উচিত, যাতে IGBT-এর পাওয়ার আউটপুট সর্বদা একটি স্যাচুরেটেড অবস্থায় থাকে। ক্ষণস্থায়ী ওভারলোড, গেট ড্রাইভ সার্কিট দ্বারা প্রদত্ত ড্রাইভিং পাওয়ার যথেষ্ট হওয়া উচিত যাতে IGBT স্যাচুরেশন অঞ্চল থেকে প্রস্থান না করে এবং ক্ষতি না হয়।
(3) IGBT গেট ড্রাইভ সার্কিট যথাযথ মান নিতে IGBT পজিটিভ ড্রাইভ ভোল্টেজ প্রদান করবে, বিশেষ করে IGBT-এ ব্যবহৃত সরঞ্জামগুলির শর্ট-সার্কিট অপারেটিং প্রক্রিয়াতে, পজিটিভ ড্রাইভ ভোল্টেজকে ন্যূনতম মান পর্যন্ত নির্বাচন করা উচিত। IGBT-এর গেট ভোল্টেজের স্যুইচিং অ্যাপ্লিকেশান সর্বোত্তম জন্য 10V ~ 15V হওয়া উচিত।
(4) IGBT শাটডাউন প্রক্রিয়া, গেটের মধ্যে প্রযোজ্য নেতিবাচক পক্ষপাত ভোল্টেজ - ইমিটারটি IGBT-এর দ্রুত শাটডাউনের জন্য সহায়ক, তবে খুব বড়, সাধারণ টেক -2V থেকে -10V নেওয়া উচিত নয়।
(5) বড় ইন্ডাকটিভ লোডের ক্ষেত্রে, খুব দ্রুত স্যুইচিং ক্ষতিকারক, IGBT দ্রুত টার্ন-অন এবং টার্ন-অফের মধ্যে বড় ইন্ডাকটিভ লোডগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ প্রশস্ততা এবং স্পাইক ভোল্টেজের সংকীর্ণ প্রস্থ তৈরি করবে Ldi/dt , স্পাইক শোষণ করা সহজ নয়, ডিভাইসের ক্ষতি গঠন করা সহজ।
(6) যেহেতু উচ্চ-ভোল্টেজের জায়গায় IGBT ব্যবহার করা হয়, তাই ড্রাইভ সার্কিটটি গুরুতর বিচ্ছিন্নতার সম্ভাব্যতায় সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রণ সার্কিটের সাথে হওয়া উচিত, উচ্চ-গতির অপটিক্যাল কাপলিং বিচ্ছিন্নতা বা ট্রান্সফরমার কাপলিং বিচ্ছিন্নতার সাধারণ ব্যবহার।
ড্রাইভ সার্কিট অবস্থা
সমন্বিত প্রযুক্তির বিকাশের সাথে, বর্তমান আইজিবিটি গেট ড্রাইভ সার্কিট বেশিরভাগই সমন্বিত চিপ দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়। নিয়ন্ত্রণ মোড এখনও প্রধানত তিন ধরনের:
(1) সরাসরি ট্রিগারিং প্রকার ইনপুট এবং আউটপুট সংকেতের মধ্যে বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা নেই।
(2) ট্রান্সফরমার বিচ্ছিন্নতা ড্রাইভ ইনপুট এবং আউটপুট সংকেতের মধ্যে পালস ট্রান্সফরমার বিচ্ছিন্নতা, বিচ্ছিন্নতা ভোল্টেজ স্তর 4000V পর্যন্ত ব্যবহার করে।
নিম্নলিখিত হিসাবে 3 পন্থা আছে
প্যাসিভ অ্যাপ্রোচ: সেকেন্ডারি ট্রান্সফরমারের আউটপুট সরাসরি আইজিবিটি চালাতে ব্যবহার করা হয়, ভোল্ট-সেকেন্ড ইকুয়ালাইজেশনের সীমাবদ্ধতার কারণে, এটি শুধুমাত্র সেই জায়গাগুলিতে প্রযোজ্য যেখানে শুল্ক চক্র খুব বেশি পরিবর্তন হয় না।
সক্রিয় পদ্ধতি: ট্রান্সফরমার শুধুমাত্র বিচ্ছিন্ন সংকেত প্রদান করে, সেকেন্ডারি প্লাস্টিক পরিবর্ধক সার্কিটে আইজিবিটি চালনা করার জন্য, ওয়েভফর্ম ড্রাইভ করা ভাল, তবে আলাদা অক্জিলিয়ারী পাওয়ার সরবরাহ করতে হবে।
স্ব-সরবরাহ পদ্ধতি: পালস ট্রান্সফরমার ড্রাইভ শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি মড্যুলেশন এবং লজিক সিগন্যাল প্রেরণের জন্য ডিমডুলেশন প্রযুক্তি উভয়ই প্রেরণ করতে ব্যবহৃত হয়, যা মডুলেশন-টাইপ স্ব-সরবরাহ পদ্ধতি এবং সময় ভাগ করে নেওয়ার প্রযুক্তি স্ব-সরবরাহে বিভক্ত। -প্রয়োজনীয় পাওয়ার সাপ্লাই, হাই-ফ্রিকোয়েন্সি মড্যুলেশন এবং লজিক সিগন্যাল ট্রান্সমিট করার জন্য ডিমডুলেশন প্রযুক্তি তৈরি করতে রেকটিফায়ার ব্রিজে স্ব-সরবরাহ পাওয়ার টাইপ করুন।
3. থাইরিস্টর এবং আইজিবিটি ড্রাইভের মধ্যে যোগাযোগ এবং পার্থক্য
থাইরিস্টর এবং আইজিবিটি ড্রাইভ সার্কিটের অনুরূপ কেন্দ্রের মধ্যে পার্থক্য রয়েছে। প্রথমত, দুটি ড্রাইভ সার্কিটের সুইচিং ডিভাইস এবং কন্ট্রোল সার্কিট একে অপরের থেকে বিচ্ছিন্ন করার জন্য প্রয়োজন, যাতে উচ্চ-ভোল্টেজ সার্কিটগুলি নিয়ন্ত্রণ সার্কিটে প্রভাব ফেলে। তারপরে, স্যুইচিং ডিভাইসটি চালু করতে উভয়ই গেট ড্রাইভ সংকেতে প্রয়োগ করা হয়। পার্থক্য হল যে থাইরিস্টর ড্রাইভের জন্য একটি বর্তমান সংকেত প্রয়োজন, যখন IGBT-এর জন্য একটি ভোল্টেজ সংকেত প্রয়োজন। স্যুইচিং ডিভাইস কন্ডাকশনের পরে, থাইরিস্টরের গেটটি থাইরিস্টরের ব্যবহারের নিয়ন্ত্রণ হারিয়ে ফেলেছে, আপনি যদি থাইরিস্টর বন্ধ করতে চান, থাইরিস্টর টার্মিনালগুলিকে বিপরীত ভোল্টেজে যুক্ত করতে হবে; এবং IGBT বন্ধ করার জন্য শুধুমাত্র ঋণাত্মক ড্রাইভিং ভোল্টেজের গেটে যোগ করতে হবে, IGBT বন্ধ করতে।
4. উপসংহার
এই কাগজটি প্রধানত আখ্যানের দুটি অংশে বিভক্ত, থাইরিস্টর ড্রাইভ সার্কিটের প্রথম অংশে ন্যারেটিভ বন্ধ করার অনুরোধ, সংশ্লিষ্ট ড্রাইভ সার্কিটের নকশা এবং সার্কিটের নকশা ব্যবহারিক থাইরিস্টর সার্কিটে সিমুলেশনের মাধ্যমে প্রয়োগ করা হয়। এবং ড্রাইভ সার্কিটের সম্ভাব্যতা প্রমাণ করার জন্য পরীক্ষা-নিরীক্ষা, সমস্যাগুলির বিশ্লেষণে পরীক্ষামূলক প্রক্রিয়াটি থেমে গেছে এবং মোকাবেলা করা হয়েছে। ড্রাইভ সার্কিটের অনুরোধের উপর IGBT-এর উপর প্রধান আলোচনার দ্বিতীয় অংশ, এবং এই ভিত্তিতে আরও বর্তমান সাধারণভাবে ব্যবহৃত IGBT ড্রাইভ সার্কিট, এবং প্রধান অপটোকপলার আইসোলেশন ড্রাইভ সার্কিট সিমুলেশন এবং পরীক্ষা বন্ধ করার জন্য, প্রমাণ করার জন্য ড্রাইভ সার্কিটের সম্ভাব্যতা।
পোস্টের সময়: এপ্রিল-15-2024
