MOSFET (ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর সংক্ষেপণ (FET)) শিরোনামMOSFET. তাপ পরিবাহিতা, মাল্টি-পোল জংশন ট্রানজিস্টর নামেও পরিচিত, অংশগ্রহণের জন্য অল্প সংখ্যক বাহক দ্বারা। এটি একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত আধা-সুপারকন্ডাক্টর ডিভাইস হিসাবে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়। বিদ্যমান আউটপুট প্রতিরোধ ক্ষমতা বেশি (10^8 ~ 10^9 Ω), কম শব্দ, কম বিদ্যুত খরচ, স্থির পরিসীমা, একীভূত করা সহজ, দ্বিতীয় কোনো ভাঙ্গনের ঘটনা নেই, বিস্তৃত সমুদ্রের বীমা কাজ এবং অন্যান্য সুবিধা, এখন পরিবর্তন হয়েছে বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর এবং শক্তিশালী সহযোগীদের পাওয়ার জংশন ট্রানজিস্টর।
MOSFET বৈশিষ্ট্য
প্রথম: MOSFET একটি ভোল্টেজ মাস্টারিং ডিভাইস, এটি VGS (গেট সোর্স ভোল্টেজ) এর মাধ্যমে মাস্টার আইডি (ড্রেন ডিসি);
দ্বিতীয়:MOSFET এরআউটপুট ডিসি খুব ছোট, তাই এর আউটপুট প্রতিরোধ খুব বড়।
তিন: তাপ পরিচালনার জন্য এটি কয়েকটি বাহক প্রয়োগ করা হয়, এবং এইভাবে এটির স্থিতিশীলতার একটি ভাল পরিমাপ রয়েছে;
চার: এটি ট্রানজিস্টরের চেয়ে ছোট সহগগুলির বৈদ্যুতিক হ্রাসের একটি হ্রাস পাথ নিয়ে গঠিত যা ছোট সহগগুলির বৈদ্যুতিক হ্রাসের একটি হ্রাস পাথ নিয়ে গঠিত;
পঞ্চম: MOSFET বিরোধী বিকিরণ শক্তি;
ছয়: শব্দের বিক্ষিপ্ত কণা দ্বারা সৃষ্ট সংখ্যালঘু বিচ্ছুরণের কোন ত্রুটিপূর্ণ কার্যকলাপ নেই, কারণ শব্দ কম।
MOSFET টাস্ক নীতি
MOSFETএকটি বাক্যে টাস্ক নীতি, যে, "ড্রেন - উৎস আইডির মধ্যে চ্যানেলের মাধ্যমে হাঁটা, ইলেক্ট্রোড এবং পিএন-এর মধ্যবর্তী চ্যানেলটি আইডি আয়ত্ত করার জন্য একটি বিপরীত পক্ষপাত ইলেক্ট্রোড ভোল্টেজে নির্মিত"। আরো সঠিকভাবে, সার্কিট জুড়ে ID এর প্রশস্ততা, যে, চ্যানেল ক্রস-বিভাগীয় এলাকা, এটি pn জংশন পাল্টা পক্ষপাতমূলক প্রকরণ দ্বারা হয়, কারণের আয়ত্তের বৈচিত্র্যকে প্রসারিত করার জন্য অবক্ষয় স্তরের সংঘটন। VGS=0 এর অ-স্যাচুরেটেড সাগরে, নির্দেশিত ট্রানজিশন লেয়ারের প্রসারণ খুব বেশি নয় কারণ, ড্রেন-উৎসের মধ্যে যোগ করা VDS-এর চৌম্বক ক্ষেত্র অনুসারে, উৎস সমুদ্রের কিছু ইলেকট্রন ড্রেন দ্বারা টেনে নিয়ে যায়। , অর্থাৎ, ড্রেন থেকে উৎস পর্যন্ত একটি ডিসি আইডি কার্যকলাপ আছে। গেট থেকে ড্রেনে প্রসারিত মাঝারি স্তরটি চ্যানেলের পুরো অংশে একটি ব্লকেজ টাইপ তৈরি করবে, আইডি পূর্ণ। এই প্যাটার্নটিকে পিঞ্চ-অফ হিসাবে উল্লেখ করুন। এটি প্রতীকী করে যে ট্রানজিশন লেয়ারটি পুরো চ্যানেলকে বাধা দেয় এবং এটি এমন নয় যে ডিসিটি কেটে গেছে।
ট্রানজিশন লেয়ারে, ইলেকট্রন এবং ছিদ্রের স্ব-আন্দোলন না থাকায়, প্রকৃত আকারে অন্তরক বৈশিষ্ট্যের অস্তিত্বের সাধারণ ডিসি কারেন্ট চলাচল করা কঠিন। যাইহোক, ড্রেনের মধ্যে চৌম্বক ক্ষেত্র - উত্স, অনুশীলনে, দুটি ট্রানজিশন স্তর যোগাযোগ ড্রেন এবং গেট পোল নীচে বাম, কারণ ড্রিফট চৌম্বক ক্ষেত্র ট্রানজিশন স্তরের মাধ্যমে উচ্চ গতির ইলেকট্রনকে টানে। কারণ ড্রিফট ম্যাগনেটিক ফিল্ডের শক্তি আইডি দৃশ্যের পূর্ণতা পরিবর্তন করে না। দ্বিতীয়ত, ভিজিএস থেকে নেতিবাচক অবস্থানে পরিবর্তন হয়, যাতে ভিজিএস = ভিজিএস (অফ), তারপর ট্রানজিশন লেয়ারটি পুরো সমুদ্রকে ঢেকে রাখার আকৃতিকে অনেকাংশে পরিবর্তন করে। এবং VDS এর চৌম্বক ক্ষেত্রটি মূলত ট্রানজিশন লেয়ারে যোগ করা হয়, যে চৌম্বক ক্ষেত্রটি ইলেক্ট্রনকে ড্রিফট পজিশনে টেনে নিয়ে যায়, যতক্ষণ না খুব ছোট অলের উত্স মেরুটির কাছাকাছি থাকে, যা আরও বেশি যাতে ডিসি শক্তি না হয়। স্থবির হতে সক্ষম।
পোস্টের সময়: এপ্রিল-12-2024
