PMOSFET, পজিটিভ চ্যানেল মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর নামে পরিচিত, একটি বিশেষ ধরনের MOSFET। নিম্নে PMOSFET-এর বিস্তারিত ব্যাখ্যা দেওয়া হল:
I. মৌলিক কাঠামো এবং কাজের নীতি
1. মৌলিক কাঠামো
PMOSFET-এর এন-টাইপ সাবস্ট্রেট এবং পি-চ্যানেল রয়েছে এবং তাদের গঠন প্রধানত একটি গেট (G), একটি উৎস (S) এবং একটি ড্রেন (D) নিয়ে গঠিত। এন-টাইপ সিলিকন সাবস্ট্রেটে, দুটি P+ অঞ্চল রয়েছে যা যথাক্রমে উৎস এবং ড্রেন হিসাবে কাজ করে এবং তারা পি-চ্যানেলের মাধ্যমে একে অপরের সাথে সংযুক্ত থাকে। গেটটি চ্যানেলের উপরে অবস্থিত এবং একটি ধাতব অক্সাইড অন্তরক স্তর দ্বারা চ্যানেল থেকে বিচ্ছিন্ন।
2. অপারেশন নীতি
PMOSFETগুলি NMOSFET-এর মতোই কাজ করে, কিন্তু বিপরীত ধরনের বাহকের সাথে। PMOSFET-এ, প্রধান বাহক হল গর্ত। যখন উৎসের সাপেক্ষে গেটে একটি ঋণাত্মক ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তখন গেটের নিচে এন-টাইপ সিলিকনের পৃষ্ঠে একটি p-টাইপ বিপরীত স্তর তৈরি হয়, যা উৎস এবং ড্রেনকে সংযোগকারী পরিখা হিসেবে কাজ করে। গেট ভোল্টেজ পরিবর্তন করা চ্যানেলের গর্তের ঘনত্ব পরিবর্তন করে, যার ফলে চ্যানেলের পরিবাহিতা নিয়ন্ত্রণ করা হয়। যখন গেট ভোল্টেজ যথেষ্ট কম হয়, চ্যানেলের গর্তের ঘনত্ব উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে সঞ্চালনের অনুমতি দেওয়ার জন্য যথেষ্ট উচ্চ স্তরে পৌঁছায়; বিপরীতভাবে, চ্যানেলটি কেটে যায়।
২. বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশন
1. বৈশিষ্ট্য
নিম্ন গতিশীলতা: পি-চ্যানেল এমওএস ট্রানজিস্টরের তুলনামূলকভাবে কম হোল গতিশীলতা থাকে, তাই একই জ্যামিতি এবং অপারেটিং ভোল্টেজের অধীনে পিএমওএস ট্রানজিস্টরের ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স এনএমওএস ট্রানজিস্টরের চেয়ে ছোট।
কম গতির, কম ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত: কম গতিশীলতার কারণে, পিএমওএস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলি কম-গতি, কম-ফ্রিকোয়েন্সি এলাকায় অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আরও উপযুক্ত।
পরিবাহী অবস্থা: PMOSFET-এর পরিবাহী অবস্থা NMOSFET-এর বিপরীত, যার জন্য উৎস ভোল্টেজের চেয়ে কম গেট ভোল্টেজ প্রয়োজন।
- অ্যাপ্লিকেশন
হাই সাইড সুইচিং: PMOSFET গুলি সাধারণত হাই সাইড সুইচিং কনফিগারেশনে ব্যবহৃত হয় যেখানে উত্সটি ইতিবাচক সরবরাহের সাথে সংযুক্ত থাকে এবং ড্রেনটি লোডের ইতিবাচক প্রান্তের সাথে সংযুক্ত থাকে। যখন PMOSFET পরিচালনা করে, এটি লোডের ধনাত্মক প্রান্তকে ইতিবাচক সরবরাহের সাথে সংযুক্ত করে, যা লোডের মধ্য দিয়ে কারেন্ট প্রবাহিত হতে দেয়। এই কনফিগারেশনটি পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট এবং মোটর ড্রাইভের মতো এলাকায় খুব সাধারণ।
বিপরীত সুরক্ষা সার্কিট: বিপরীত শক্তি সরবরাহ বা লোড কারেন্ট ব্যাকফ্লো দ্বারা সৃষ্ট সার্কিটের ক্ষতি রোধ করতে বিপরীত সুরক্ষা সার্কিটেও PMOSFET ব্যবহার করা যেতে পারে।
III. নকশা এবং বিবেচনা
1. গেট ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ
PMOSFET সার্কিট ডিজাইন করার সময়, সঠিক অপারেশন নিশ্চিত করার জন্য গেট ভোল্টেজের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন। যেহেতু PMOSFET-এর পরিবাহী অবস্থা NMOSFET-এর বিপরীত, তাই গেট ভোল্টেজের মেরুতা এবং মাত্রার দিকে মনোযোগ দেওয়া দরকার।
2. লোড সংযোগ
লোড সংযোগ করার সময়, PMOSFET এর মধ্য দিয়ে কারেন্ট সঠিকভাবে প্রবাহিত হয় তা নিশ্চিত করার জন্য লোডের পোলারিটির দিকে মনোযোগ দেওয়া প্রয়োজন এবং PMOSFET-এর কর্মক্ষমতা যেমন ভোল্টেজ ড্রপ, পাওয়ার খরচ ইত্যাদির উপর লোডের প্রভাব। , এছাড়াও বিবেচনা করা প্রয়োজন.
3. তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা
PMOSFET-এর কর্মক্ষমতা তাপমাত্রা দ্বারা ব্যাপকভাবে প্রভাবিত হয়, তাই সার্কিট ডিজাইন করার সময় PMOSFET-এর কর্মক্ষমতার উপর তাপমাত্রার প্রভাব বিবেচনায় নেওয়া প্রয়োজন এবং সার্কিটগুলির তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা উন্নত করার জন্য সংশ্লিষ্ট ব্যবস্থা গ্রহণ করা প্রয়োজন।
4. সুরক্ষা সার্কিট
অপারেশন চলাকালীন ওভারকারেন্ট এবং ওভারভোল্টেজ দ্বারা PMOSFETগুলিকে ক্ষতিগ্রস্ত হওয়া থেকে রক্ষা করার জন্য, সার্কিটে ওভারকারেন্ট সুরক্ষা এবং ওভারভোল্টেজ সুরক্ষার মতো সুরক্ষা সার্কিটগুলি ইনস্টল করা দরকার। এই সুরক্ষা সার্কিটগুলি কার্যকরভাবে PMOSFET রক্ষা করতে পারে এবং এর পরিষেবা জীবন প্রসারিত করতে পারে।
সংক্ষেপে, PMOSFET হল এক প্রকার MOSFET যার বিশেষ কাঠামো এবং কাজের নীতি। এর কম গতিশীলতা এবং কম-গতি, কম-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ততা এটিকে নির্দিষ্ট ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে প্রযোজ্য করে তোলে। PMOSFET সার্কিট ডিজাইন করার সময়, সার্কিটের সঠিক অপারেশন এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য গেট ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ, লোড সংযোগ, তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা এবং সুরক্ষা সার্কিটের দিকে মনোযোগ দিতে হবে।
পোস্টের সময়: সেপ্টেম্বর-15-2024
