MOSFETsব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এখন কিছু বড় আকারের ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট MOSFET ব্যবহার করা হয়, মৌলিক ফাংশন এবং BJT ট্রানজিস্টর, সুইচিং এবং অ্যামপ্লিফিকেশন। মূলত BJT triode যেখানে ব্যবহার করা যায় সেখানে ব্যবহার করা যায় এবং কিছু কিছু জায়গায় ট্রায়োডের থেকে পারফরমেন্স ভালো হয়।
MOSFET এর পরিবর্ধন
MOSFET এবং BJT triode, যদিও উভয় সেমিকন্ডাক্টর পরিবর্ধক ডিভাইস, কিন্তু triode তুলনায় আরো সুবিধা, যেমন উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধের, সংকেত উৎস প্রায় কোন বর্তমান, যা ইনপুট সংকেত স্থায়িত্বের জন্য অনুকূল। এটি একটি ইনপুট স্টেজ পরিবর্ধক হিসাবে একটি আদর্শ ডিভাইস, এবং কম শব্দ এবং ভাল তাপমাত্রা স্থিতিশীলতার সুবিধা রয়েছে। এটি প্রায়ই অডিও পরিবর্ধন সার্কিটগুলির জন্য একটি প্রিঅ্যামপ্লিফায়ার হিসাবে ব্যবহৃত হয়। যাইহোক, যেহেতু এটি একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত কারেন্ট ডিভাইস, তাই ড্রেন কারেন্ট গেট সোর্সের মধ্যবর্তী ভোল্টেজ দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়, কম ফ্রিকোয়েন্সি ট্রান্সকন্ডাক্টেন্সের পরিবর্ধন সহগ সাধারণত বড় হয় না, তাই পরিবর্ধন ক্ষমতা দুর্বল।
MOSFET এর সুইচিং প্রভাব
MOSFET একটি বৈদ্যুতিন সুইচ হিসাবে ব্যবহৃত হয়, শুধুমাত্র পলিওন পরিবাহিতার উপর নির্ভর করার কারণে, বেস কারেন্ট এবং চার্জ স্টোরেজ প্রভাবের কারণে BJT ট্রায়োডের মতো কোনও নেই, তাই MOSFET-এর সুইচিং গতি ট্রায়োডের চেয়ে দ্রুত, একটি সুইচিং টিউব হিসাবে প্রায়শই উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি উচ্চ-বর্তমান অনুষ্ঠানে ব্যবহৃত হয়, যেমন কাজের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি উচ্চ-বর্তমান অবস্থায় MOSFET-এ ব্যবহৃত পাওয়ার সাপ্লাই স্যুইচ করা। BJT ট্রায়োড সুইচের সাথে তুলনা করে, MOSFET সুইচগুলি ছোট ভোল্টেজ এবং স্রোতে কাজ করতে পারে এবং সিলিকন ওয়েফারগুলিতে একীভূত করা সহজ, তাই এগুলি বৃহৎ আকারের ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
ব্যবহার করার সময় সতর্কতা কি কিMOSFETs?
MOSFETগুলি ট্রায়োডের চেয়ে বেশি সূক্ষ্ম এবং অনুপযুক্ত ব্যবহারের দ্বারা সহজেই ক্ষতিগ্রস্ত হতে পারে, তাই তাদের ব্যবহার করার সময় বিশেষ যত্ন নেওয়া উচিত।
(1) বিভিন্ন ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত ধরনের MOSFET নির্বাচন করা প্রয়োজন।
(2) MOSFETs, বিশেষ করে ইনসুলেটেড-গেট MOSFET-গুলির উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা থাকে এবং গেট ইন্ডাকট্যান্স চার্জের কারণে টিউবের ক্ষতি এড়াতে ব্যবহার না করার সময় প্রতিটি ইলেক্ট্রোডের সাথে ছোট করা উচিত।
(3) জংশন MOSFET-এর গেট সোর্স ভোল্টেজকে বিপরীত করা যাবে না, তবে ওপেন সার্কিট অবস্থায় সংরক্ষণ করা যেতে পারে।
(4) MOSFET এর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা বজায় রাখার জন্য, টিউবটিকে আর্দ্রতা থেকে রক্ষা করতে হবে এবং ব্যবহারের পরিবেশে শুষ্ক রাখতে হবে।
(5) MOSFET-এর সংস্পর্শে থাকা চার্জযুক্ত বস্তুগুলি (যেমন সোল্ডারিং আয়রন, পরীক্ষার যন্ত্র ইত্যাদি) টিউবের ক্ষতি এড়াতে গ্রাউন্ড করা প্রয়োজন। বিশেষ করে যখন ঢালাই উত্তাপ গেট MOSFET, উৎস অনুযায়ী - ঢালাই এর গেট অনুক্রমিক ক্রম, এটি পাওয়ার বন্ধ পরে ঢালাই করা ভাল। সোল্ডারিং লোহার শক্তি 15 ~ 30W উপযুক্ত, একটি ঢালাই সময় 10 সেকেন্ডের বেশি হওয়া উচিত নয়।
(6) উত্তাপ গেট MOSFET একটি মাল্টিমিটার দিয়ে পরীক্ষা করা যাবে না, শুধুমাত্র একটি পরীক্ষক দিয়ে পরীক্ষা করা যেতে পারে, এবং শুধুমাত্র পরীক্ষকের অ্যাক্সেসের পরে ইলেক্ট্রোডের শর্ট-সার্কিট ওয়্যারিং অপসারণ করতে পারে। সরানো হলে, গেট ওভারহ্যাং এড়াতে অপসারণের আগে ইলেক্ট্রোডগুলি শর্ট সার্কিট করা প্রয়োজন।
(7) ব্যবহার করার সময়MOSFETsসাবস্ট্রেট লিডের সাথে, সাবস্ট্রেট লিডগুলি সঠিকভাবে সংযুক্ত হওয়া উচিত।
পোস্টের সময়: এপ্রিল-২৩-২০২৪
