MOSFETs (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) এর অপারেশনাল নীতিগুলি বোঝা এই উচ্চ-দক্ষতা ইলেকট্রনিক উপাদানগুলিকে কার্যকরভাবে ব্যবহার করার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এমওএসএফইটিগুলি ইলেকট্রনিক ডিভাইসে অপরিহার্য উপাদান, এবং তাদের বোঝা নির্মাতাদের জন্য অপরিহার্য।
অনুশীলনে, এমন নির্মাতারা আছেন যারা তাদের প্রয়োগের সময় MOSFET-এর নির্দিষ্ট ফাংশনগুলি সম্পূর্ণরূপে উপলব্ধি করতে পারেন না। তবুও, ইলেকট্রনিক ডিভাইসে MOSFET-এর কাজের নীতিগুলি এবং তাদের সংশ্লিষ্ট ভূমিকাগুলি উপলব্ধি করে, কেউ কৌশলগতভাবে সবচেয়ে উপযুক্ত MOSFET নির্বাচন করতে পারে, এর অনন্য বৈশিষ্ট্য এবং পণ্যের নির্দিষ্ট বৈশিষ্ট্যগুলিকে বিবেচনা করে। এই পদ্ধতিটি পণ্যের কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি করে, বাজারে এর প্রতিযোগিতামূলকতাকে শক্তিশালী করে।
WINSOK SOT-23-3 প্যাকেজ MOSFET
MOSFET কাজের নীতি
যখন MOSFET-এর গেট-সোর্স ভোল্টেজ (VGS) শূন্য হয়, এমনকি একটি ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ (VDS) প্রয়োগ করার পরেও, সবসময় বিপরীত পক্ষপাতের মধ্যে একটি PN জংশন থাকে, যার ফলে এর মধ্যে কোন পরিবাহী চ্যানেল (এবং কোন কারেন্ট) থাকে না। MOSFET এর ড্রেন এবং উৎস। এই অবস্থায়, MOSFET এর ড্রেন কারেন্ট (আইডি) শূন্য। গেট এবং সোর্স (VGS > 0) এর মধ্যে একটি ইতিবাচক ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে MOSFET এর গেট এবং সিলিকন সাবস্ট্রেটের মধ্যে SiO2 অন্তরক স্তরে একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয়, যা গেট থেকে পি-টাইপ সিলিকন সাবস্ট্রেটের দিকে নির্দেশিত হয়। প্রদত্ত যে অক্সাইড স্তরটি অন্তরক হচ্ছে, গেটে প্রয়োগ করা ভোল্টেজ, VGS, MOSFET-এ কারেন্ট তৈরি করতে পারে না। পরিবর্তে, এটি অক্সাইড স্তর জুড়ে একটি ক্যাপাসিটর গঠন করে।
ভিজিএস ধীরে ধীরে বাড়লে ক্যাপাসিটর চার্জ হয়ে যায়, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করে। গেটে ইতিবাচক ভোল্টেজ দ্বারা আকৃষ্ট হয়ে, ক্যাপাসিটরের অন্য দিকে অসংখ্য ইলেকট্রন জমা হয়, যা MOSFET-এ ড্রেন থেকে উৎস পর্যন্ত একটি N-টাইপ পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করে। যখন VGS থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ VT (সাধারণত প্রায় 2V) অতিক্রম করে, MOSFET-এর N-চ্যানেলটি পরিচালনা করে, ড্রেন কারেন্ট আইডির প্রবাহ শুরু করে। যে গেট-সোর্স ভোল্টেজটিতে চ্যানেল তৈরি হতে শুরু করে তাকে থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ VT বলা হয়। VGS এর মাত্রা নিয়ন্ত্রণ করে, এবং এর ফলে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র, MOSFET-এ ড্রেন কারেন্ট আইডির আকার মড্যুলেট করা যেতে পারে।
WINSOK DFN5x6-8 প্যাকেজ MOSFET
MOSFET অ্যাপ্লিকেশন
MOSFET তার চমৎকার সুইচিং বৈশিষ্ট্যের জন্য বিখ্যাত, যার ফলে ইলেকট্রনিক সুইচ, যেমন সুইচ-মোড পাওয়ার সাপ্লাইয়ের প্রয়োজন হয় এমন সার্কিটগুলিতে এর ব্যাপক প্রয়োগ ঘটে। একটি 5V পাওয়ার সাপ্লাই ব্যবহার করে কম-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনে, ঐতিহ্যগত কাঠামোর ব্যবহারের ফলে একটি বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টরের বেস-ইমিটার (প্রায় 0.7V) জুড়ে ভোল্টেজ কমে যায়, যার গেটে প্রয়োগ করা চূড়ান্ত ভোল্টেজের জন্য শুধুমাত্র 4.3V বাকি থাকে। MOSFET. এই ধরনের পরিস্থিতিতে, 4.5V এর নামমাত্র গেট ভোল্টেজ সহ একটি MOSFET বেছে নেওয়া কিছু ঝুঁকির পরিচয় দেয়। এই চ্যালেঞ্জটি 3V বা অন্যান্য কম-ভোল্টেজ পাওয়ার সাপ্লাই যুক্ত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও প্রকাশ পায়।
পোস্ট সময়: অক্টোবর-27-2023
