MOSFET সাধারণত ব্যবহৃত তিনটি প্রধান ভূমিকা হল পরিবর্ধন সার্কিট, ধ্রুবক বর্তমান আউটপুট এবং স্যুইচিং কন্ডাকশন।
1, পরিবর্ধন সার্কিট
MOSFET-এর একটি উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা, কম শব্দ এবং অন্যান্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে, তাই, এটি সাধারণত বর্তমান ইনপুট পর্যায়ের বহু-পর্যায়ের পরিবর্ধন হিসাবে ব্যবহৃত হয়, যেমন ট্রানজিস্টরের সাথে, পছন্দের সাধারণ প্রান্তের ইনপুট এবং আউটপুট সার্কিট অনুসারে। বিভিন্ন, ডিসচার্জ সার্কিটের তিনটি অবস্থায় বিভক্ত করা যেতে পারেMOSFET, যথাক্রমে, সাধারণ উৎস, পাবলিক ফুটো এবং সাধারণ গেট. নীচের চিত্রটি একটি MOSFET সাধারণ উত্স পরিবর্ধন সার্কিট দেখায়, যেখানে Rg হল গেট প্রতিরোধক, Rs ভোল্টেজ ড্রপ গেটে যোগ করা হয়েছে; Rd হল ড্রেন প্রতিরোধক, ড্রেন কারেন্ট ড্রেন ভোল্টেজে রূপান্তরিত হয়, যা পরিবর্ধন গুণক Au কে প্রভাবিত করে; Rs হল উৎস প্রতিরোধক, গেটের জন্য একটি পক্ষপাত ভোল্টেজ প্রদান করে; C3 হল বাইপাস ক্যাপাসিটর, যা AC সিগন্যালের ক্ষয়কে Rs.
2, বর্তমান উৎস সার্কিট
ধ্রুবক বর্তমান উত্স ব্যাপকভাবে মেট্রোলজিক্যাল পরীক্ষায় ব্যবহৃত হয়, যেমনটি নীচের চিত্রে দেখানো হয়েছে, এটি মূলত গঠিতMOSFETধ্রুবক কারেন্ট সোর্স সার্কিট, যা ম্যাগনেটো-ইলেকট্রিক মিটার টিউনিং স্কেল প্রক্রিয়া হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। যেহেতু MOSFET একটি ভোল্টেজ-টাইপ কন্ট্রোল ডিভাইস, এর গেট প্রায় কারেন্ট নেয় না, ইনপুট প্রতিবন্ধকতা খুব বেশি। যদি একটি বৃহৎ ধ্রুবক বর্তমান আউটপুট সঠিকতা উন্নত করার জন্য আকাঙ্ক্ষিত হয়, তবে রেফারেন্স উত্স এবং তুলনাকারীর সংমিশ্রণটি পছন্দসই প্রভাব পেতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
3, সুইচিং সার্কিট
MOSFET এর সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা হল সুইচিং ভূমিকা। স্যুইচিং, বিভিন্ন ইলেকট্রনিক লোড কন্ট্রোল, পাওয়ার সাপ্লাই স্যুইচিং ইত্যাদি সুইচিং। এমওএস টিউবের সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য বৈশিষ্ট্য হল ভালোর সুইচিং বৈশিষ্ট্য।এনএমওএস, Vgs একটি নির্দিষ্ট মান আচার হবে বেশী, উৎস গ্রাউন্ডেড ক্ষেত্রে প্রযোজ্য, যে, তথাকথিত নিম্ন-এন্ড ড্রাইভ, যতক্ষণ 4V বা 10V এর গেট ভোল্টেজ হতে পারে। PMOS-এর জন্য, অন্য দিকে, একটি নির্দিষ্ট মানের চেয়ে কম Vgs পরিচালনা করবে, যেটি ক্ষেত্রে প্রযোজ্য হয় যখন উৎসটি VCC-তে গ্রাউন্ড করা হয়, অর্থাৎ, হাই এন্ড ড্রাইভ। যদিও PMOS সহজে হাই-এন্ড ড্রাইভার হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে, NMOS সাধারণত উচ্চ-প্রতিরোধ, উচ্চ মূল্য এবং কিছু প্রতিস্থাপন প্রকারের কারণে উচ্চ প্রান্তের ড্রাইভারগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
উপরে উল্লিখিত তিনটি প্রধান ভূমিকা ছাড়াও, MOSFET গুলিকে ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত প্রতিরোধকগুলি উপলব্ধি করতে পরিবর্তনশীল প্রতিরোধক হিসাবেও ব্যবহার করা যেতে পারে এবং এর অনেকগুলি অ্যাপ্লিকেশনও রয়েছে।
পোস্টের সময়: এপ্রিল-২৯-২০২৪
