MOSFETগুলি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলিতে MOSFETগুলিকে অন্তরক করছে৷ MOSFETগুলি, সবচেয়ে মৌলিক ডিভাইসগুলির মধ্যে একটি হিসাবেঅর্ধপরিবাহী ক্ষেত্র, বোর্ড-স্তরের সার্কিট এবং আইসি ডিজাইনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এর ড্রেন এবং উৎসMOSFETs বিনিময় করা যেতে পারে, এবং একটি N-টাইপ অঞ্চলের সাথে একটি পি-টাইপ ব্যাকগেটে গঠিত হয়। সাধারণভাবে, দুটি উত্স বিনিময়যোগ্য, উভয়ই একটি এন-টাইপ অঞ্চল গঠন করেপি-টাইপ ব্যাকগেট. সাধারণভাবে, এই দুটি জোন একই, এবং এই দুটি বিভাগ স্যুইচ করা হলেও, ডিভাইসের কর্মক্ষমতা প্রভাবিত হবে না। অতএব, ডিভাইসটি প্রতিসম বলে মনে করা হয়।
নীতি:
MOSFET ড্রেন কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করতে এই "ইনডিউসড চার্জ" দ্বারা গঠিত পরিবাহী চ্যানেলের অবস্থা পরিবর্তন করতে "প্ররোচিত চার্জ" এর পরিমাণ নিয়ন্ত্রণ করতে VGS ব্যবহার করে। যখন এমওএসএফইটি তৈরি করা হয়, বিশেষ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে অন্তরক স্তরে প্রচুর পরিমাণে ইতিবাচক আয়ন উপস্থিত হয়, যাতে ইন্টারফেসের অন্য দিকে আরও নেতিবাচক চার্জ অনুভূত হতে পারে এবং উচ্চ-ব্যপ্তিযোগ্য অমেধ্যের এন-অঞ্চল দ্বারা সংযুক্ত থাকে। এই নেতিবাচক চার্জগুলি, এবং পরিবাহী চ্যানেল গঠিত হয়, এবং একটি অপেক্ষাকৃত বড় ড্রেন কারেন্ট, ID, VGS 0 হলেও উত্পন্ন হয়। যদি গেট ভোল্টেজ পরিবর্তন করা হয়, চ্যানেলে প্ররোচিত চার্জের পরিমাণও পরিবর্তিত হয় এবং প্রস্থ পরিবাহী চ্যানেলের একই পরিমাণে পরিবর্তন হয়। যদি গেট ভোল্টেজ পরিবর্তিত হয়, চ্যানেলে প্ররোচিত চার্জের পরিমাণও পরিবর্তিত হবে এবং পরিবাহী চ্যানেলের প্রস্থও পরিবর্তিত হবে, তাই ড্রেন কারেন্ট আইডি গেট ভোল্টেজের সাথে পরিবর্তিত হবে।
ভূমিকা:
1. এটি পরিবর্ধক সার্কিটে প্রয়োগ করা যেতে পারে। MOSFET পরিবর্ধকের উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতার কারণে, কাপলিং এর ক্যাপাসিট্যান্স ছোট হতে পারে এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর ব্যবহার করা যাবে না।
উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা প্রতিবন্ধকতা রূপান্তরের জন্য উপযুক্ত। এটি প্রায়শই মাল্টি-স্টেজ এমপ্লিফায়ারের ইনপুট পর্যায়ে প্রতিবন্ধক রূপান্তরের জন্য ব্যবহৃত হয়।
3, এটি পরিবর্তনশীল প্রতিরোধক হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।
4, একটি ইলেকট্রনিক সুইচ হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে.
MOSFET গুলি এখন টেলিভিশনে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি হেড এবং পাওয়ার সাপ্লাই স্যুইচিং সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয়। আজকাল, বাইপোলার সাধারন ট্রানজিস্টর এবং এমওএস একত্রে একত্রিত হয়ে আইজিবিটি (ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর) গঠন করে, যা উচ্চ শক্তির এলাকায় ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, এবং এমওএস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলির কম শক্তি খরচের বৈশিষ্ট্য রয়েছে, এবং এখন সিপিইউগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে। এমওএস সার্কিট।
পোস্টের সময়: Jul-19-2024
