অন্তরণ স্তর গেট টাইপ MOSFET ওরফেMOSFET (এরপরে MOSFET হিসাবে উল্লেখ করা হয়েছে), যার গেট ভোল্টেজ এবং উৎস ড্রেনের মাঝখানে সিলিকন ডাই অক্সাইডের একটি তারের খাপ রয়েছে।
MOSFET এছাড়াওএন-চ্যানেল এবং পি-চ্যানেল দুটি বিভাগ, তবে প্রতিটি বিভাগ বর্ধিতকরণ এবং হালকা হ্রাস টাইপ টুতে বিভক্ত, এইভাবে মোট চার প্রকার রয়েছে:এন-চ্যানেল বর্ধন, পি-চ্যানেল বর্ধন, এন-চ্যানেল আলো হ্রাস, পি-চ্যানেল আলো হ্রাস টাইপ। কিন্তু যেখানে গেট সোর্স ভোল্টেজ শূন্য, সেখানে ড্রেন কারেন্টও শূন্য হয় পাইপের উন্নত নল। যাইহোক, যেখানে গেট সোর্স ভোল্টেজ শূন্য, সেখানে ড্রেন কারেন্ট শূন্য নয় আলোক-গ্রাহক টাইপ টিউব হিসাবে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়।
উন্নত MOSFET নীতি:
গেট সোর্সের মাঝখানে কাজ করার সময় ভোল্টেজ ব্যবহার করা হয় না, ড্রেন সোর্স পিএন জংশনের মাঝখানে থাকে বিপরীত দিকে, তাই কোন পরিবাহী চ্যানেল থাকবে না, এমনকি ভোল্টেজ সহ ড্রেন সোর্সের মাঝখানে থাকলেও, পরিবাহী পরিখা বিদ্যুত বন্ধ, এটি অনুযায়ী একটি কাজ বর্তমান আছে সম্ভব নয়. যখন গেট সোর্সের মাঝখানে প্লাস ইতিবাচক দিক ভোল্টেজ একটি নির্দিষ্ট মান পর্যন্ত, ড্রেন উৎসের মাঝখানে একটি পরিবাহী নিরাপত্তা চ্যানেল তৈরি করবে, যাতে এই গেট সোর্স ভোল্টেজ দ্বারা উত্পাদিত পরিবাহী পরিখাকে ওপেন ভোল্টেজ VGS বলা হয়, গেট সোর্স ভোল্টেজের মাঝামাঝি বড়, পরিবাহী পরিখাটি আরও প্রশস্ত, যার ফলে বিদ্যুতের প্রবাহ আরও বেশি হয়।
আলো বিচ্ছুরণকারী MOSFET এর নীতি:
অপারেশনে, গেট সোর্সের মাঝখানে কোন ভোল্টেজ ব্যবহার করা হয় না, এনহান্সমেন্ট টাইপ MOSFET এর বিপরীতে, এবং ড্রেন উৎসের মাঝখানে একটি পরিবাহী চ্যানেল বিদ্যমান থাকে, তাই ড্রেন উৎসের মাঝখানে শুধুমাত্র একটি ইতিবাচক ভোল্টেজ যোগ করা হয়, যা একটি ড্রেন বর্তমান প্রবাহ ফলাফল. তাছাড়া, ভোল্টেজের ধনাত্মক দিকের মাঝখানে গেট উৎস, পরিবাহী চ্যানেল সম্প্রসারণ, ভোল্টেজের বিপরীত দিক যোগ করলে পরিবাহী চ্যানেল সঙ্কুচিত হয়, বিদ্যুতের প্রবাহের মাধ্যমে ছোট হবে, MOSFET তুলনা বৃদ্ধির সাথে, এটি পরিবাহী চ্যানেলের মধ্যে নির্দিষ্ট সংখ্যক অঞ্চলের ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক সংখ্যায়ও হতে পারে।
MOSFET কার্যকারিতা:
প্রথমত, MOSFETs বড় করার জন্য ব্যবহার করা হয়। কারণ MOSFET পরিবর্ধকের ইনপুট প্রতিরোধ ক্ষমতা খুব বেশি, তাই ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার প্রয়োগ করার প্রয়োজন ছাড়াই ফিল্টার ক্যাপাসিটর ছোট হতে পারে।
দ্বিতীয়ত, MOSFET খুব উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্যগত প্রতিবন্ধক রূপান্তরের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত। সাধারণত বৈশিষ্ট্যগত প্রতিবন্ধকতা রূপান্তরের জন্য বহু-স্তরের পরিবর্ধক ইনপুট পর্যায়ে ব্যবহৃত হয়।
MOSFET সামঞ্জস্যযোগ্য প্রতিরোধক হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।
চতুর্থ, MOSFET একটি DC পাওয়ার সাপ্লাই হিসাবে সুবিধাজনক হতে পারে।
V. MOSFET একটি সুইচিং উপাদান হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।
পোস্টের সময়: জুলাই-২৩-২০২৪
