সাধারণত ব্যবহৃত উচ্চ-শক্তি MOSFET-এর কাজের নীতির ভূমিকা

আজ সাধারণত ব্যবহৃত উচ্চ ক্ষমতাMOSFETসংক্ষিপ্তভাবে এর কাজের নীতি প্রবর্তন করা। দেখুন কিভাবে এটি তার নিজের কাজ উপলব্ধি.

 

মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর অর্থাৎ মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর, ঠিক এই নামটি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে MOSFET এর গঠন বর্ণনা করে, অর্থাৎ: সিলিকন ডাই অক্সাইড এবং ধাতুর সাথে মিলিত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের একটি নির্দিষ্ট কাঠামোতে, গঠন গেট এর

 

একটি MOSFET এর উত্স এবং ড্রেন বিপরীত, উভয়ই একটি পি-টাইপ ব্যাকগেটে গঠিত এন-টাইপ জোন। বেশিরভাগ ক্ষেত্রে, দুটি ক্ষেত্র একই, এমনকি যদি সামঞ্জস্যের দুটি প্রান্ত ডিভাইসের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত না করে, তবে এই জাতীয় ডিভাইসকে প্রতিসম বলে মনে করা হয়।

 

শ্রেণীবিভাগ: প্রতিটি N-চ্যানেল এবং P-চ্যানেল দুটির চ্যানেল উপাদানের ধরন এবং উত্তাপযুক্ত গেটের ধরন অনুসারে; পরিবাহী মোড অনুসারে: MOSFET হ্রাস এবং বর্ধনে বিভক্ত, তাই MOSFET এন-চ্যানেল হ্রাস এবং বর্ধনে বিভক্ত; পি-চ্যানেল হ্রাস এবং চারটি প্রধান বিভাগের বর্ধিতকরণ।

MOSFET অপারেশন নীতি - এর কাঠামোগত বৈশিষ্ট্যMOSFETএটি পরিবাহীতে জড়িত শুধুমাত্র একটি পোলারিটি ক্যারিয়ার (পলিস) পরিচালনা করে, একটি ইউনিপোলার ট্রানজিস্টর। কন্ডাক্টিং মেকানিজম কম-পাওয়ার MOSFET-এর মতোই, কিন্তু গঠনে একটা বড় পার্থক্য রয়েছে, কম-পাওয়ার MOSFET হল একটি অনুভূমিক পরিবাহী যন্ত্র, বেশিরভাগ পাওয়ার MOSFET উল্লম্ব পরিবাহী কাঠামো, যা VMOSFET নামেও পরিচিত, যা MOSFET-কে ব্যাপকভাবে উন্নত করে। ডিভাইস ভোল্টেজ এবং বর্তমান সহ্য ক্ষমতা. প্রধান বৈশিষ্ট্য হল যে ধাতব গেট এবং চ্যানেলের মধ্যে সিলিকা নিরোধকের একটি স্তর রয়েছে, এবং তাই একটি উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধের আছে, টিউবটি একটি এন-টাইপ পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করতে n ডিফিউশন জোনের দুটি উচ্চ ঘনত্বে সঞ্চালিত হয়। n-চ্যানেল বর্ধিতকরণ MOSFETs অবশ্যই ফরোয়ার্ড বায়াস সহ গেটে প্রয়োগ করতে হবে এবং শুধুমাত্র যখন গেট সোর্স ভোল্টেজ n-চ্যানেল MOSFET দ্বারা উত্পন্ন পরিবাহী চ্যানেলের থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের চেয়ে বেশি হয়। n-চ্যানেল অবক্ষয় টাইপ MOSFET হল n-চ্যানেল MOSFET যেগুলিতে কোনো গেট ভোল্টেজ প্রয়োগ না করলে কন্ডাক্টিং চ্যানেল তৈরি হয় (গেট সোর্স ভোল্টেজ শূন্য)।

 

MOSFET এর অপারেশন নীতি হল "প্ররোচিত চার্জ" দ্বারা গঠিত পরিবাহী চ্যানেলের অবস্থা পরিবর্তন করতে VGS ব্যবহার করে "প্ররোচিত চার্জ" এর পরিমাণ নিয়ন্ত্রণ করা এবং তারপরে ড্রেন কারেন্ট নিয়ন্ত্রণের উদ্দেশ্য অর্জন করা। টিউব তৈরিতে, প্রচুর পরিমাণে ইতিবাচক আয়নগুলির আবির্ভাবের স্তর অন্তরক প্রক্রিয়ার মাধ্যমে, তাই ইন্টারফেসের অন্য দিকে আরও নেতিবাচক চার্জ প্ররোচিত করা যেতে পারে, এই নেতিবাচক চার্জগুলি এন-এ অমেধ্যের উচ্চ অনুপ্রবেশের জন্য একটি পরিবাহী চ্যানেল গঠনের সাথে সংযুক্ত অঞ্চল, এমনকি VGS = 0-তেও একটি বড় ফুটো বর্তমান আইডি রয়েছে। যখন গেট ভোল্টেজ পরিবর্তন করা হয়, চ্যানেলে প্রবর্তিত চার্জের পরিমাণও পরিবর্তিত হয়, এবং পরিবাহী চ্যানেলের প্রস্থ এবং চ্যানেলের সংকীর্ণতা এবং পরিবর্তন হয়, এবং এইভাবে গেট ভোল্টেজের সাথে লিকেজ বর্তমান আইডি। বর্তমান আইডি গেট ভোল্টেজের সাথে পরিবর্তিত হয়।

 

এখন আবেদনMOSFETআমাদের জীবনযাত্রার মান উন্নত করার সাথে সাথে মানুষের শিক্ষা, কাজের দক্ষতা ব্যাপকভাবে উন্নত করেছে। আমরা কিছু সহজ বোঝার মাধ্যমে এটি একটি আরও যুক্তিযুক্ত বোঝার আছে. এটি শুধুমাত্র একটি হাতিয়ার হিসাবে ব্যবহার করা হবে না, এর বৈশিষ্ট্য সম্পর্কে আরও বোঝা, কাজের নীতি, যা আমাদের অনেক মজা দেবে।