কিভাবে nMOSFETs এবং pMOSFETs নির্ধারণ করবেন

I. তড়িৎ প্রবাহের দিক অনুযায়ী

NMOSFET：যখন কারেন্ট উৎস (S) থেকে ড্রেনে (D) প্রবাহিত হয়, তখন MOSFET হল একটি NMOSFET একটি NMOSFET-এ, উৎস এবং ড্রেন হল এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এবং গেট হল একটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর। উৎসের সাপেক্ষে যখন গেট ভোল্টেজ ধনাত্মক হয়, তখন সেমিকন্ডাক্টরের পৃষ্ঠে একটি এন-টাইপ কন্ডাক্টিং চ্যানেল তৈরি হয়, যা ইলেকট্রনকে উৎস থেকে ড্রেনে প্রবাহিত করতে দেয়।

PMOSFET：একটি MOSFET হল একটি PMOSFET যখন ড্রেন (D) থেকে উৎসে (S) কারেন্ট প্রবাহিত হয় একটি PMOSFET-এ, উৎস এবং ড্রেন উভয়ই পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এবং গেট হল একটি এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর। যখন গেট ভোল্টেজ উৎসের সাপেক্ষে ঋণাত্মক হয়, তখন সেমিকন্ডাক্টরের পৃষ্ঠে একটি পি-টাইপ কন্ডাক্টিং চ্যানেল তৈরি হয়, যার ফলে উৎস থেকে ড্রেনে গর্ত প্রবাহিত হয় (উল্লেখ্য যে প্রচলিত বর্ণনায় আমরা এখনও বলি যে বর্তমান D থেকে S তে যায়, কিন্তু এটি আসলে সেই দিক যেখানে গর্তগুলি চলে যায়)।

*** www.DeepL.com/Translator (ফ্রি সংস্করণ) দিয়ে অনুবাদ করা হয়েছে ***

২. পরজীবী ডায়োডের দিক অনুসারে

NMOSFET：যখন পরজীবী ডায়োড উৎস (S) থেকে ড্রেন (D) এর দিকে নির্দেশ করে, তখন এটি একটি NMOSFET। পরজীবী ডায়োড হল MOSFET-এর ভিতরের একটি অন্তর্নিহিত কাঠামো, এবং এর দিকনির্দেশ আমাদের MOSFET-এর ধরন নির্ধারণ করতে সাহায্য করতে পারে।

PMOSFET：পরজীবী ডায়োড হল একটি PMOSFET যখন এটি ড্রেন (D) থেকে উৎস (S) পর্যন্ত নির্দেশ করে।

III. নিয়ন্ত্রণ ইলেক্ট্রোড ভোল্টেজ এবং বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা মধ্যে সম্পর্ক অনুযায়ী

NMOSFET：একটি NMOSFET পরিচালনা করে যখন গেট ভোল্টেজ উৎস ভোল্টেজের সাপেক্ষে ধনাত্মক হয়। এর কারণ হল একটি ধনাত্মক গেট ভোল্টেজ সেমিকন্ডাক্টর পৃষ্ঠে এন-টাইপ কন্ডাক্টিং চ্যানেল তৈরি করে, যা ইলেকট্রনকে প্রবাহিত করতে দেয়।

PMOSFET：একটি PMOSFET পরিচালনা করে যখন গেট ভোল্টেজ উৎস ভোল্টেজের সাপেক্ষে ঋণাত্মক হয়। একটি নেতিবাচক গেট ভোল্টেজ সেমিকন্ডাক্টর পৃষ্ঠে একটি পি-টাইপ কন্ডাক্টিং চ্যানেল তৈরি করে, যা গর্তগুলিকে প্রবাহিত হতে দেয় (বা কারেন্টকে D থেকে S পর্যন্ত প্রবাহিত করতে)।

IV বিচারের অন্যান্য সহায়ক পদ্ধতি

ডিভাইস মার্কিং দেখুন:কিছু MOSFET-এ, একটি মার্কিং বা মডেল নম্বর থাকতে পারে যা এর ধরনকে চিহ্নিত করে এবং প্রাসঙ্গিক ডেটাশিটের সাথে পরামর্শ করে আপনি নিশ্চিত করতে পারেন যে এটি একটি NMOSFET নাকি PMOSFET।

পরীক্ষার যন্ত্রের ব্যবহার:একটি MOSFET এর পিন প্রতিরোধের পরিমাপ করা বা মাল্টিমিটারের মতো পরীক্ষার যন্ত্রের মাধ্যমে বিভিন্ন ভোল্টেজে এর পরিবাহিতাও এর ধরন নির্ধারণে সহায়তা করতে পারে।

সংক্ষেপে, NMOSFETs এবং PMOSFET-এর বিচার প্রধানত বর্তমান প্রবাহের দিক, পরজীবী ডায়োডের দিকনির্দেশ, নিয়ন্ত্রণ ইলেক্ট্রোড ভোল্টেজ এবং পরিবাহিতার মধ্যে সম্পর্ক, সেইসাথে ডিভাইস চিহ্নিতকরণ এবং পরীক্ষার যন্ত্রগুলির ব্যবহার পরীক্ষা করে করা যেতে পারে। ব্যবহারিক প্রয়োগে, নির্দিষ্ট পরিস্থিতি অনুযায়ী উপযুক্ত বিচার পদ্ধতি নির্বাচন করা যেতে পারে।