দ্বিতীয়ত, সিস্টেমের সীমাবদ্ধতার আকার
কিছু ইলেকট্রনিক সিস্টেম পিসিবি এবং অভ্যন্তরীণ আকার দ্বারা সীমাবদ্ধ উচ্চতা, sযেমন যোগাযোগ ব্যবস্থা, উচ্চতার সীমাবদ্ধতার কারণে মডুলার পাওয়ার সাপ্লাই সাধারণত DFN5 * 6, DFN3 * 3 প্যাকেজ ব্যবহার করে; কিছু ACDC পাওয়ার সাপ্লাইতে, অতি-পাতলা ডিজাইনের ব্যবহার বা শেলটির সীমাবদ্ধতার কারণে, TO220 প্যাকেজের সমাবেশে পাওয়ার MOSFET ফুট সরাসরি রুটে ঢোকানো উচ্চতার সীমাবদ্ধতা TO247 প্যাকেজ ব্যবহার করতে পারে না। কিছু অতি-পাতলা নকশা সরাসরি ডিভাইস পিন সমতল নমন, এই নকশা উত্পাদন প্রক্রিয়া জটিল হয়ে যাবে.
তৃতীয়ত, কোম্পানির উৎপাদন প্রক্রিয়া
TO220 এর দুটি ধরণের প্যাকেজ রয়েছে: বেয়ার মেটাল প্যাকেজ এবং সম্পূর্ণ প্লাস্টিকের প্যাকেজ, বেয়ার মেটাল প্যাকেজ তাপ প্রতিরোধের ছোট, তাপ অপচয় করার ক্ষমতা শক্তিশালী, তবে উত্পাদন প্রক্রিয়াতে, আপনাকে ইনসুলেশন ড্রপ যুক্ত করতে হবে, উত্পাদন প্রক্রিয়া জটিল এবং ব্যয়বহুল, সম্পূর্ণ প্লাস্টিকের প্যাকেজ তাপ প্রতিরোধের বড়, তাপ অপচয় ক্ষমতা দুর্বল, কিন্তু উত্পাদন প্রক্রিয়া সহজ.
স্ক্রু লক করার কৃত্রিম প্রক্রিয়া হ্রাস করার জন্য, সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, কিছু ইলেকট্রনিক সিস্টেম ক্লিপগুলিকে পাওয়ার ব্যবহার করেMOSFETs তাপ বেসিনে আটকানো, যাতে প্রথাগত TO220 অংশের উত্থান উপরের অংশের গর্ত অপসারণের নতুন আকারে এনক্যাপসুলেশন, তবে ডিভাইসের উচ্চতাও কমাতে।
চতুর্থ, খরচ নিয়ন্ত্রণ
কিছু অত্যন্ত ব্যয়-সংবেদনশীল অ্যাপ্লিকেশন যেমন ডেস্কটপ মাদারবোর্ড এবং বোর্ডে, DPAK প্যাকেজে পাওয়ার MOSFETগুলি সাধারণত এই ধরনের প্যাকেজের কম খরচের কারণে ব্যবহার করা হয়। অতএব, একটি পাওয়ার MOSFET প্যাকেজ নির্বাচন করার সময়, তাদের কোম্পানির শৈলী এবং পণ্য বৈশিষ্ট্য সঙ্গে মিলিত, এবং উপরোক্ত বিষয়গুলি বিবেচনা করুন।
পঞ্চম, বেশিরভাগ ক্ষেত্রে প্রতিরোধ ভোল্টেজ BVDSS নির্বাচন করুন, কারণ ইনপুট vo এর নকশাইলেকট্রনিক এর ltage সিস্টেম তুলনামূলকভাবে স্থির, কোম্পানি কিছু উপাদান সংখ্যা একটি নির্দিষ্ট সরবরাহকারী নির্বাচিত, পণ্য রেট ভোল্টেজ এছাড়াও স্থির করা হয়.
ডেটাশিটে পাওয়ার MOSFET-এর ব্রেকডাউন ভোল্টেজ BVDSS পরীক্ষার শর্তগুলিকে সংজ্ঞায়িত করেছে, বিভিন্ন অবস্থার অধীনে বিভিন্ন মান সহ, এবং BVDSS-এর একটি ইতিবাচক তাপমাত্রা সহগ রয়েছে, এই কারণগুলির সংমিশ্রণের প্রকৃত প্রয়োগের ক্ষেত্রে একটি ব্যাপকভাবে বিবেচনা করা উচিত।
অনেক তথ্য এবং সাহিত্য প্রায়ই উল্লেখ করা হয়েছে: ক্ষমতা MOSFET VDS সর্বোচ্চ স্পাইক ভোল্টেজের সিস্টেম যদি BVDSS এর চেয়ে বেশি হয়, এমনকি যদি স্পাইক পালস ভোল্টেজের স্থায়িত্ব মাত্র কয়েক বা দশ এনএসের হয়, শক্তি MOSFET তুষারপাতের মধ্যে প্রবেশ করবে এবং এইভাবে ক্ষতি ঘটে।
ট্রানজিস্টর এবং IGBT এর বিপরীতে, পাওয়ার MOSFET-এর তুষারপাত প্রতিরোধ করার ক্ষমতা রয়েছে, এবং অনেক বড় সেমিকন্ডাক্টর কোম্পানি শক্তি MOSFET তুষারপাত শক্তি উৎপাদন লাইনে পূর্ণ পরিদর্শন, 100% সনাক্তকরণ, অর্থাৎ, ডেটাতে এটি একটি নিশ্চিত পরিমাপ, তুষারপাত ভোল্টেজ। সাধারণত BVDSS এর 1.2 ~ 1.3 বার ঘটে এবং সময়ের সময়কাল সাধারণত μs, এমনকি ms লেভেলের হয়, তারপর মাত্র কয়েক বা দশ এনএসের সময়কাল, তুষারপাত ভোল্টেজ স্পাইক পালস ভোল্টেজের তুলনায় অনেক কম। শক্তি MOSFET।
ছয়, ড্রাইভ ভোল্টেজ নির্বাচন VTH দ্বারা
ক্ষমতার বিভিন্ন ইলেকট্রনিক সিস্টেম MOSFETs নির্বাচিত ড্রাইভ ভোল্টেজ একই নয়, এসি / ডিসি পাওয়ার সাপ্লাই সাধারণত 12V ড্রাইভ ভোল্টেজ ব্যবহার করে, নোটবুকের মাদারবোর্ড ডিসি / ডিসি কনভার্টার 5V ড্রাইভ ভোল্টেজ ব্যবহার করে, তাই সিস্টেমের ড্রাইভ ভোল্টেজ অনুযায়ী একটি ভিন্ন প্রান্তিক ভোল্টেজ নির্বাচন করতে VTH শক্তি MOSFETs।
ডেটাশিটে পাওয়ার MOSFET-এর থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ VTH-এরও পরীক্ষার শর্তগুলি সংজ্ঞায়িত করা হয়েছে এবং বিভিন্ন পরিস্থিতিতে বিভিন্ন মান রয়েছে এবং VTH-এর একটি নেতিবাচক তাপমাত্রা সহগ রয়েছে। বিভিন্ন ড্রাইভ ভোল্টেজ VGS বিভিন্ন অন-প্রতিরোধের সাথে মিলে যায় এবং ব্যবহারিক প্রয়োগে তাপমাত্রা বিবেচনা করা গুরুত্বপূর্ণ
ব্যবহারিক প্রয়োগগুলিতে, শক্তি MOSFET সম্পূর্ণরূপে চালু আছে তা নিশ্চিত করার জন্য তাপমাত্রার বৈচিত্রগুলি বিবেচনায় নেওয়া উচিত, একই সাথে শাটডাউন প্রক্রিয়া চলাকালীন জি-পোলের সাথে সংযুক্ত স্পাইক ডালগুলি মিথ্যা ট্রিগারিং দ্বারা ট্রিগার করা হবে না তা নিশ্চিত করা উচিত। একটি সোজা মাধ্যমে বা শর্ট সার্কিট উত্পাদন.
পোস্টের সময়: আগস্ট-০৩-২০২৪
