1. জংশন MOSFET পিন সনাক্তকরণ
এর গেটMOSFET ট্রানজিস্টরের ভিত্তি, এবং ড্রেন এবং উত্স হল এর সংগ্রাহক এবং বিকিরণকারীসংশ্লিষ্ট ট্রানজিস্টর. মাল্টিমিটার থেকে R × 1k গিয়ার, দুটি পিনের মধ্যে ফরোয়ার্ড এবং রিভার্স রেজিস্ট্যান্স পরিমাপ করতে দুটি কলম সহ। যখন একটি দুই-পিন ফরোয়ার্ড রেজিস্ট্যান্স = বিপরীত প্রতিরোধ = KΩ, অর্থাৎ, উৎস S এবং ড্রেন D এর জন্য দুটি পিন, বাকি পিনটি গেট G। যদি এটি একটি 4-পিন হয়জংশন MOSFET, অন্য মেরু স্থল ঢাল ব্যবহার.
2.গেট নির্ধারণ করুন
মাল্টিমিটারের কালো কলম দিয়ে MOSFET-কে একটি এলোমেলো ইলেক্ট্রোড স্পর্শ করতে হবে, লাল কলমটি অন্য দুটি ইলেক্ট্রোডকে স্পর্শ করবে। উভয় পরিমাপ প্রতিরোধের ছোট হলে, উভয়ই ইতিবাচক প্রতিরোধের নির্দেশ করে, টিউবটি এন-চ্যানেল MOSFET-এর অন্তর্গত, একই কালো কলমের যোগাযোগটিও গেট।
উত্পাদন প্রক্রিয়া সিদ্ধান্ত নিয়েছে যে MOSFET এর ড্রেন এবং উত্স প্রতিসম, এবং একে অপরের সাথে বিনিময় করা যেতে পারে, এবং সার্কিটের ব্যবহারকে প্রভাবিত করবে না, এই সময়ে সার্কিটটিও স্বাভাবিক, তাই যাওয়ার দরকার নেই অত্যধিক পার্থক্য ড্রেন এবং উৎসের মধ্যে প্রতিরোধের পরিমাণ প্রায় কয়েক হাজার ওহম। ইনসুলেটেড গেট টাইপ MOSFET এর গেট নির্ধারণ করতে এই পদ্ধতি ব্যবহার করতে পারবেন না। কারণ এই MOSFET-এর ইনপুটের প্রতিরোধ ক্ষমতা অত্যন্ত উচ্চ, এবং গেট এবং উৎসের মধ্যে আন্তঃ-পোলার ক্যাপাসিট্যান্স খুবই ছোট, আন্তঃ-পোলারের উপরে একটি ছোট পরিমাণ চার্জের পরিমাপ করা যেতে পারে। অত্যন্ত উচ্চ ভোল্টেজের ক্যাপাসিট্যান্স, MOSFET ক্ষতি করা খুব সহজ হবে।
3. MOSFET-এর পরিবর্ধন ক্ষমতা অনুমান করা
যখন মাল্টিমিটারটি R × 100 এ সেট করা হয়, তখন উৎস S সংযোগ করতে লাল কলম ব্যবহার করুন এবং ড্রেন D সংযোগ করতে কালো কলম ব্যবহার করুন, যা MOSFET-তে 1.5V ভোল্টেজ যোগ করার মতো। এই সময়ে সুই ডিএস পোলের মধ্যে প্রতিরোধের মান নির্দেশ করে। এই সময়ে একটি আঙুল দিয়ে গেট জি, শরীরের প্ররোচিত ভোল্টেজটি গেটে একটি ইনপুট সংকেত হিসাবে চিমটি দেয়। MOSFET পরিবর্ধনের ভূমিকার কারণে, ID এবং UDS পরিবর্তিত হবে, যার অর্থ ডিএস পোলের মধ্যে প্রতিরোধের পরিবর্তন হয়েছে, আমরা লক্ষ্য করতে পারি যে সুইটির একটি বড় সুইং প্রশস্ততা রয়েছে। যদি হাতটি গেটটিকে চিমটি করে, তবে সুইটির দোল খুব ছোট হয়, অর্থাৎ, MOSFET পরিবর্ধন ক্ষমতা তুলনামূলকভাবে দুর্বল; যদি সুইটির সামান্যতম ক্রিয়া না থাকে, তা নির্দেশ করে যে MOSFET ক্ষতিগ্রস্ত হয়েছে।
পোস্টের সময়: Jul-18-2024
