MOSFET ড্রাইভার সম্পর্কে

দ্বিতীয়ত, এনএমওএস, যা উচ্চ প্রান্তের ড্রাইভের জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, এটি পরিচালনা করার সময় অবশ্যই গেট ভোল্টেজকে সোর্স ভোল্টেজ ছাড়িয়ে যেতে দিতে হবে। হাই-এন্ড ড্রাইভ MOSFET অন-টাইমে, সোর্স ভোল্টেজ এবং ড্রেন ভোল্টেজের আকার একই, তাই এই সময় গেট ভোল্টেজ Vcc থেকে 4V বা 10V বেশি হওয়া উচিত। যদি একই সিস্টেমে, Vcc গেট ভোল্টেজের চেয়ে বেশি পেতে চান, তাহলে আপনাকে ভোল্টেজ সার্কিট নিয়ন্ত্রণে বিশেষজ্ঞ হতে হবে। অনেক মোটর ড্রাইভার চার্জ পাম্পের সমন্বয়ে গঠিত, এটা উল্লেখ করা উচিত যে আমাদের উপযুক্ত বাহ্যিক ক্যাপাসিটর বাছাই করা উচিত, যাতে MOSFET চালানোর জন্য পর্যাপ্ত শর্ট-সার্কিট কারেন্ট পাওয়া যায়।

Olueky কোর টিম উপাদান বিশেষ, Shenzhen সদর দফতর. প্রধান:MOSFET, MCU, IGBT এবং অন্যান্য ডিভাইস। প্রধান এজেন্ট পণ্যউইনসোক, Cmsemicon. পণ্যগুলি সামরিক, শিল্প নিয়ন্ত্রণ, নতুন শক্তি, চিকিৎসা পণ্য, 5G, ইন্টারনেট অফ থিংস, স্মার্ট হোম এবং বিভিন্ন ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। চীনা বাজারের উপর ভিত্তি করে মূল বিশ্ব সাধারণ এজেন্টের সুবিধার উপর নির্ভর করা। গ্রাহকদের জন্য নিখুঁত পরিষেবার সুবিধাগুলি ব্যবহার করে সমস্ত ধরণের উন্নত উচ্চ-প্রযুক্তি বৈদ্যুতিন উপাদান প্রবর্তন করা, নির্মাতাদের উচ্চ-মানের পণ্য উত্পাদন করতে এবং নিখুঁত পরিষেবা সরবরাহ করতে সহায়তা করা।