বৈদ্যুতিক যানবাহন নিয়ন্ত্রক মধ্যে MOSFETs

1, বৈদ্যুতিক যানবাহন নিয়ামক মধ্যে MOSFET ভূমিকা

সহজ কথায়, মোটর আউটপুট কারেন্ট দ্বারা চালিত হয়MOSFET, আউটপুট কারেন্ট যত বেশি হবে (MOSFET কে জ্বলতে না দেওয়ার জন্য, কন্ট্রোলারের বর্তমান সীমা সুরক্ষা রয়েছে), মোটর টর্ক তত বেশি শক্তিশালী, ত্বরণ তত বেশি শক্তিশালী।

2, MOSFET এর অপারেটিং স্টেটের কন্ট্রোল সার্কিট

ওপেন প্রসেস, অন স্টেট, অফ প্রসেস, কাট-অফ স্টেট, ব্রেকডাউন স্টেট।

MOSFET এর প্রধান ক্ষতির মধ্যে রয়েছে সুইচিং লস (চালু এবং বন্ধ প্রক্রিয়া), পরিবাহী ক্ষতি, কাটঅফ লস (লিকেজ কারেন্টের কারণে, যা নগণ্য), তুষারপাত শক্তির ক্ষতি। যদি এই ক্ষতিগুলি MOSFET-এর সহনীয় সীমার মধ্যে নিয়ন্ত্রিত হয়, MOSFET সঠিকভাবে কাজ করবে, যদি এটি সহনীয় সীমা অতিক্রম করে, ক্ষতি হবে।

স্যুইচিং ক্ষতি প্রায়শই পরিবাহী অবস্থার ক্ষতির চেয়ে বেশি হয়, বিশেষ করে PWM সম্পূর্ণরূপে খোলা থাকে না, পালস প্রস্থ মডুলেশন অবস্থায় (বৈদ্যুতিক গাড়ির সূচনা ত্বরণ অবস্থার সাথে সম্পর্কিত), এবং সর্বাধিক দ্রুত অবস্থা প্রায়শই পরিবাহী ক্ষতি হয় আধিপত্য

3, প্রধান কারণএমওএসক্ষতি

ওভারকারেন্ট, উচ্চ তাপমাত্রার ক্ষতির কারণে সৃষ্ট উচ্চ কারেন্ট (টেকসই উচ্চ কারেন্ট এবং জংশন তাপমাত্রার কারণে তাত্ক্ষণিক উচ্চ কারেন্ট ডাল সহনশীলতার মান ছাড়িয়ে যায়); ওভারভোল্টেজ, উৎস-নিষ্কাশন স্তর ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং ভাঙ্গনের চেয়ে বেশি; গেট ব্রেকডাউন, সাধারণত কারণ গেট ভোল্টেজ বাহ্যিক বা ড্রাইভ সার্কিট দ্বারা সর্বাধিক অনুমোদিত ভোল্টেজের চেয়ে বেশি ক্ষতিগ্রস্থ হয় (সাধারণত গেট ভোল্টেজ 20v এর কম হওয়া প্রয়োজন), সেইসাথে স্ট্যাটিক বিদ্যুতের ক্ষতি।

4, MOSFET সুইচিং নীতি

MOSFET হল একটি ভোল্টেজ-চালিত ডিভাইস, যতক্ষণ না গেট G এবং সোর্স স্টেজ এস সোর্স স্টেজের মধ্যে একটি উপযুক্ত ভোল্টেজ দেওয়ার জন্য S এবং D সোর্স স্টেজের মধ্যে একটি পরিবাহী সার্কিট তৈরি করবে। এই বর্তমান পথের প্রতিরোধ MOSFET অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ, অর্থাৎ অন-প্রতিরোধে পরিণত হয়। এই অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের আকার মূলত সর্বোচ্চ অন-স্টেট কারেন্ট নির্ধারণ করেMOSFETচিপ সহ্য করতে পারে (অবশ্যই, অন্যান্য কারণের সাথেও সম্পর্কিত, সবচেয়ে প্রাসঙ্গিক তাপ প্রতিরোধের)। অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের ছোট, বৃহত্তর বর্তমান।