MOSFET এন্টি-রিভার্স সার্কিট

প্রথমত, MOSFET অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিটের মূল নীতি

MOSFET অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিট MOSFET-এর সুইচিং বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে, গেট (G) ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করে সার্কিট চালু এবং বন্ধ উপলব্ধি করে। যখন পাওয়ার সাপ্লাই পোলারিটি সঠিক হয়, গেট ভোল্টেজ MOSFET কে পরিবাহী অবস্থায় তৈরি করে, কারেন্ট স্বাভাবিকভাবে প্রবাহিত হতে পারে; যখন পাওয়ার সাপ্লাই পোলারিটি বিপরীত হয়, গেট ভোল্টেজ MOSFET কন্ডাকশন তৈরি করতে পারে না, এইভাবে সার্কিটটি কেটে দেয়।

দ্বিতীয়ত, MOSFET এন্টি-রিভার্স সার্কিটের নির্দিষ্ট উপলব্ধি

1. এন-চ্যানেল MOSFET বিরোধী-বিপরীত সার্কিট

এন-চ্যানেল MOSFET গুলি সাধারণত অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিট উপলব্ধি করতে ব্যবহৃত হয়। সার্কিটে, এন-চ্যানেল MOSFET এর উত্স (S) লোডের নেতিবাচক টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে, ড্রেন (D) পাওয়ার সাপ্লাইয়ের ইতিবাচক টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে এবং গেট (G) এর সাথে সংযুক্ত থাকে একটি প্রতিরোধকের মাধ্যমে বা একটি নিয়ন্ত্রণ সার্কিট দ্বারা নিয়ন্ত্রিত পাওয়ার সাপ্লাইয়ের নেতিবাচক টার্মিনাল।

ফরোয়ার্ড সংযোগ: পাওয়ার সাপ্লাইয়ের ইতিবাচক টার্মিনালটি D এর সাথে সংযুক্ত থাকে এবং নেতিবাচক টার্মিনালটি S এর সাথে সংযুক্ত থাকে। এই সময়ে, প্রতিরোধকটি MOSFET-এর জন্য গেট সোর্স ভোল্টেজ (VGS) প্রদান করে এবং যখন VGS থ্রেশহোল্ডের চেয়ে বেশি হয় MOSFET এর ভোল্টেজ (Vth), MOSFET পরিচালনা করে এবং বিদ্যুৎ সরবরাহের ইতিবাচক টার্মিনাল থেকে কারেন্ট প্রবাহিত হয় MOSFET এর মাধ্যমে লোড করুন।

যখন বিপরীত করা হয়: পাওয়ার সাপ্লাইয়ের ইতিবাচক টার্মিনালটি S এর সাথে সংযুক্ত থাকে এবং নেতিবাচক টার্মিনালটি D এর সাথে সংযুক্ত থাকে। এই সময়ে, MOSFET একটি কাটঅফ অবস্থায় থাকে এবং লোডটিকে ক্ষতি থেকে রক্ষা করার জন্য সার্কিটটি সংযোগ বিচ্ছিন্ন করা হয় কারণ গেট ভোল্টেজ MOSFET আচার তৈরি করার জন্য পর্যাপ্ত VGS গঠন করতে সক্ষম নয় (VGS 0 এর কম বা Vth এর চেয়ে অনেক কম হতে পারে)।

2. সহায়ক উপাদানের ভূমিকা

প্রতিরোধক: MOSFET এর জন্য গেট সোর্স ভোল্টেজ প্রদান করতে এবং গেট ওভারকারেন্ট ক্ষতি প্রতিরোধ করার জন্য গেট কারেন্ট সীমিত করতে ব্যবহৃত হয়।

ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক: একটি ঐচ্ছিক উপাদান যা গেট সোর্স ভোল্টেজকে খুব বেশি হওয়া এবং MOSFET ভেঙে যাওয়া প্রতিরোধ করতে ব্যবহৃত হয়।

পরজীবী ডায়োড: একটি পরজীবী ডায়োড (বডি ডায়োড) MOSFET-এর অভ্যন্তরে বিদ্যমান, তবে অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিটে এর ক্ষতিকর প্রভাব এড়াতে সার্কিট ডিজাইনের দ্বারা এর প্রভাব সাধারণত উপেক্ষা করা হয় বা এড়ানো হয়।

তৃতীয়ত, MOSFET অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিটের সুবিধা

কম ক্ষতি: MOSFET অন-রেজিস্ট্যান্স ছোট, অন-রেজিস্ট্যান্স ভোল্টেজ কমে গেছে, তাই সার্কিট লস ছোট।

উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা: অ্যান্টি-রিভার্স ফাংশন একটি সাধারণ সার্কিট ডিজাইনের মাধ্যমে উপলব্ধি করা যেতে পারে এবং MOSFET এর নিজেই একটি উচ্চ মাত্রার নির্ভরযোগ্যতা রয়েছে।

নমনীয়তা: বিভিন্ন MOSFET মডেল এবং সার্কিট ডিজাইন বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য নির্বাচন করা যেতে পারে।

সতর্কতা

MOSFET অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিটের ডিজাইনে, আপনাকে নিশ্চিত করতে হবে যে MOSFET-এর নির্বাচন ভোল্টেজ, কারেন্ট, স্যুইচিং স্পিড এবং অন্যান্য পরামিতি সহ অ্যাপ্লিকেশন প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করে।

সার্কিটের কর্মক্ষমতার উপর বিরূপ প্রভাব এড়াতে সার্কিটের অন্যান্য উপাদান যেমন পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স, পরজীবী ইন্ডাকট্যান্স ইত্যাদির প্রভাব বিবেচনা করা প্রয়োজন।

ব্যবহারিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, সার্কিটের স্থায়িত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য পর্যাপ্ত পরীক্ষা এবং যাচাইকরণও প্রয়োজন।

সংক্ষেপে, MOSFET অ্যান্টি-রিভার্স সার্কিট হল একটি সহজ, নির্ভরযোগ্য এবং কম-ক্ষতির পাওয়ার সাপ্লাই সুরক্ষা স্কিম যা ব্যাপকভাবে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয় যার জন্য বিপরীত শক্তির পোলারিটি প্রতিরোধের প্রয়োজন হয়।