MOSFET-এর প্রধান পরামিতি এবং ট্রায়োডের সাথে তুলনা

(4) MOSFET-এর পরিবাহী প্রক্রিয়াতে পলিট্রনের অংশগ্রহণ রয়েছে এবং ট্রায়োডে দুটি ধরণের বাহকের অংশগ্রহণ রয়েছে, পলিট্রন এবং অলিগোট্রন, এবং এর অলিগোট্রনের ঘনত্ব তাপমাত্রা, বিকিরণ এবং অন্যান্য কারণগুলির দ্বারা ব্যাপকভাবে প্রভাবিত হয়, তাই, MOSFET ট্রানজিস্টরের চেয়ে ভাল তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা এবং বিকিরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে। পরিবেশগত অবস্থার অনেক পরিবর্তন হলে MOSFET নির্বাচন করা উচিত।

(5) যখন MOSFET উৎস ধাতু এবং সাবস্ট্রেটের সাথে সংযুক্ত থাকে, তখন উত্স এবং ড্রেন বিনিময় করা যায় এবং বৈশিষ্ট্যগুলি খুব বেশি পরিবর্তিত হয় না, যখন ট্রানজিস্টরের সংগ্রাহক এবং বিকিরণকারী বিনিময় করা হয়, তখন বৈশিষ্ট্যগুলি ভিন্ন হয় এবং β মান হ্রাস করা হয়।

(6) MOSFET এর নয়েজ ফিগার ছোট।

(7) MOSFET এবং triode বিভিন্ন পরিবর্ধক সার্কিট এবং স্যুইচিং সার্কিটগুলির সমন্বয়ে গঠিত হতে পারে, তবে আগেরটি কম শক্তি, উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা, সরবরাহ ভোল্টেজের বিস্তৃত পরিসর ব্যবহার করে, তাই এটি ব্যাপকভাবে বৃহৎ-স্কেল এবং অতি-বৃহৎ-সার্কিটগুলিতে ব্যবহৃত হয়। স্কেল ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট।

(8) ট্রায়োডের অন-রেজিস্ট্যান্স বড়, এবং MOSFET-এর অন-রেজিস্ট্যান্স ছোট, তাই MOSFET গুলি সাধারণত উচ্চ দক্ষতার সাথে সুইচ হিসাবে ব্যবহৃত হয়।