গেট ক্যাপাসিট্যান্স, অন-রেজিস্ট্যান্স এবং MOSFET-এর অন্যান্য প্যারামিটার

I. গেট ক্যাপাসিট্যান্স

গেট ক্যাপাসিট্যান্সের মধ্যে প্রধানত ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss), আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Coss) এবং রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিট্যান্স (Crss, যা মিলার ক্যাপাসিট্যান্স নামেও পরিচিত) অন্তর্ভুক্ত করে।

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss):

সংজ্ঞা: ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স হল গেট এবং সোর্স এবং ড্রেনের মধ্যে মোট ক্যাপাসিট্যান্স এবং এতে গেট সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স (Cgs) এবং গেট ড্রেন ক্যাপাসিট্যান্স (Cgd) সমান্তরালভাবে সংযুক্ত থাকে, যেমন Ciss = Cgs + Cgd।

ফাংশন: ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স MOSFET এর সুইচিং গতিকে প্রভাবিত করে। যখন ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স একটি থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজে চার্জ করা হয়, তখন ডিভাইসটি চালু করা যেতে পারে; একটি নির্দিষ্ট মান ডিসচার্জ, ডিভাইস বন্ধ করা যাবে. অতএব, ড্রাইভিং সার্কিট এবং Ciss ডিভাইসের টার্ন-অন এবং টার্ন-অফ বিলম্বের উপর সরাসরি প্রভাব ফেলে।

আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Coss):

সংজ্ঞা: আউটপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স হল ড্রেন এবং সোর্সের মধ্যে মোট ক্যাপাসিট্যান্স এবং এতে ড্রেন-সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স (Cds) এবং গেট-ড্রেন ক্যাপাসিট্যান্স (Cgd) সমান্তরাল থাকে, যেমন Coss = Cds + Cgd।

ভূমিকা: নরম-সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, Coss অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ কারণ এটি সার্কিটে অনুরণন সৃষ্টি করতে পারে।

বিপরীত ট্রান্সমিশন ক্যাপাসিট্যান্স (Crss):

সংজ্ঞা: বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স গেট ড্রেন ক্যাপাসিট্যান্স (Cgd) এর সমতুল্য এবং প্রায়শই মিলার ক্যাপাসিট্যান্স হিসাবে উল্লেখ করা হয়।

ভূমিকা: রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপ্যাসিট্যান্স হল সুইচের উত্থান এবং পতনের সময়ের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার এবং এটি টার্ন-অফ বিলম্বের সময়কেও প্রভাবিত করে। ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ বাড়লে ক্যাপাসিট্যান্সের মান কমে যায়।

২. অন-প্রতিরোধ (Rds(চালু))

সংজ্ঞা: অন-রেজিস্ট্যান্স হল নির্দিষ্ট পরিস্থিতিতে (যেমন, নির্দিষ্ট লিকেজ কারেন্ট, গেট ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রা) অন-স্টেটের একটি MOSFET-এর উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে প্রতিরোধ।

প্রভাবক কারণ: অন-প্রতিরোধ একটি নির্দিষ্ট মান নয়, এটি তাপমাত্রা দ্বারা প্রভাবিত হয়, তাপমাত্রা যত বেশি হবে, Rds(চালু) তত বেশি হবে। উপরন্তু, প্রতিরোধ ভোল্টেজ যত বেশি হবে, MOSFET এর অভ্যন্তরীণ কাঠামো তত ঘন হবে, সংশ্লিষ্ট অন-প্রতিরোধ তত বেশি হবে।

গুরুত্ব: একটি স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই বা ড্রাইভার সার্কিট ডিজাইন করার সময়, MOSFET-এর অন-প্রতিরোধের বিষয়টি বিবেচনা করা প্রয়োজন, কারণ MOSFET এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট এই প্রতিরোধের উপর শক্তি খরচ করবে, এবং খরচ করা শক্তির এই অংশটিকে বলা হয়- প্রতিরোধের ক্ষতি। কম অন-রেজিস্ট্যান্স সহ একটি MOSFET নির্বাচন করা অন-রেজিস্ট্যান্স ক্ষতি কমাতে পারে।

তৃতীয়, অন্যান্য গুরুত্বপূর্ণ পরামিতি

গেট ক্যাপাসিট্যান্স এবং অন-রেজিস্ট্যান্স ছাড়াও, MOSFET এর কিছু অন্যান্য গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার রয়েছে যেমন:

V(BR)DSS (ড্রেন সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ):ড্রেন সোর্স ভোল্টেজ যেখানে ড্রেনের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় একটি নির্দিষ্ট মান পর্যন্ত পৌঁছায় এবং গেট সোর্স ছোট হয়ে যায়। এই মানের উপরে, টিউব ক্ষতিগ্রস্ত হতে পারে।

VGS(th) (থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ):উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে একটি পরিবাহী চ্যানেল তৈরি হতে শুরু করার জন্য গেট ভোল্টেজের প্রয়োজন। স্ট্যান্ডার্ড N-চ্যানেল MOSFET-এর জন্য, VT প্রায় 3 থেকে 6V।

আইডি (সর্বোচ্চ ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান):সর্বাধিক ক্রমাগত ডিসি কারেন্ট যা চিপ দ্বারা সর্বাধিক রেটযুক্ত জংশন তাপমাত্রায় অনুমোদিত হতে পারে।

IDM (সর্বোচ্চ পালসড ড্রেন কারেন্ট):স্পন্দিত কারেন্টের স্তর প্রতিফলিত করে যা ডিভাইসটি পরিচালনা করতে পারে, স্পন্দিত কারেন্ট অবিচ্ছিন্ন ডিসি কারেন্টের চেয়ে অনেক বেশি।

PD (সর্বোচ্চ শক্তি অপচয়):ডিভাইসটি সর্বোচ্চ শক্তি খরচ নষ্ট করতে পারে।

সংক্ষেপে, একটি MOSFET-এর গেট ক্যাপাসিট্যান্স, অন-রেজিস্ট্যান্স এবং অন্যান্য পরামিতিগুলি এর কার্যকারিতা এবং প্রয়োগের জন্য গুরুত্বপূর্ণ, এবং নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি এবং প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী নির্বাচন এবং ডিজাইন করা প্রয়োজন।