পাওয়ার MOSFET-এর প্রতিটি প্যারামিটারের ব্যাখ্যা

ভিডিএসএস সর্বোচ্চ ড্রেন-উৎস ভোল্টেজ

গেট সোর্স সংক্ষিপ্ত করে, ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ রেটিং (VDSS) হল সর্বাধিক ভোল্টেজ যা তুষারপাত ছাড়াই ড্রেন-উৎসটিতে প্রয়োগ করা যেতে পারে। তাপমাত্রার উপর নির্ভর করে, প্রকৃত তুষারপাত ব্রেকডাউন ভোল্টেজ রেট করা VDSS থেকে কম হতে পারে। V(BR)DSS-এর বিস্তারিত বিবরণের জন্য, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক দেখুন

V(BR)DSS এর বিস্তারিত বর্ণনার জন্য, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক বৈশিষ্ট্য দেখুন।

ভিজিএস সর্বোচ্চ গেট সোর্স ভোল্টেজ

ভিজিএস ভোল্টেজ রেটিং হল সর্বোচ্চ ভোল্টেজ যা গেট সোর্স খুঁটির মধ্যে প্রয়োগ করা যেতে পারে। এই ভোল্টেজ রেটিং সেট করার মূল উদ্দেশ্য হল অতিরিক্ত ভোল্টেজের কারণে গেট অক্সাইডের ক্ষতি রোধ করা। গেট অক্সাইড যে প্রকৃত ভোল্টেজ সহ্য করতে পারে তা রেট করা ভোল্টেজের চেয়ে অনেক বেশি, তবে উত্পাদন প্রক্রিয়ার সাথে পরিবর্তিত হবে।

প্রকৃত গেট অক্সাইড রেট করা ভোল্টেজের চেয়ে অনেক বেশি ভোল্টেজ সহ্য করতে পারে, তবে এটি উত্পাদন প্রক্রিয়ার সাথে পরিবর্তিত হবে, তাই VGS কে রেট করা ভোল্টেজের মধ্যে রাখলে তা প্রয়োগের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করবে।

আইডি - ক্রমাগত লিকেজ কারেন্ট

আইডিকে সর্বাধিক রেটযুক্ত জংশন তাপমাত্রা, TJ(সর্বোচ্চ), এবং 25°C বা তার বেশি নল পৃষ্ঠের তাপমাত্রায় সর্বাধিক অনুমোদিত ক্রমাগত ডিসি কারেন্ট হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয়। এই প্যারামিটারটি জংশন এবং কেস, RθJC এবং কেস তাপমাত্রার মধ্যে রেট করা তাপীয় প্রতিরোধের একটি ফাংশন:

স্যুইচিং লস আইডিতে অন্তর্ভুক্ত নয় এবং ব্যবহারিক ব্যবহারের জন্য টিউবের পৃষ্ঠের তাপমাত্রা 25°C (Tcase) বজায় রাখা কঠিন। অতএব, হার্ড-সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে প্রকৃত সুইচিং কারেন্ট সাধারণত আইডি রেটিং @ TC = 25°C এর অর্ধেকেরও কম হয়, সাধারণত 1/3 থেকে 1/4 এর মধ্যে। পরিপূরক

অতিরিক্তভাবে, একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় আইডি অনুমান করা যেতে পারে যদি তাপ প্রতিরোধের JA ব্যবহার করা হয়, যা আরও বাস্তবসম্মত মান।

IDM - ইমপালস ড্রেন কারেন্ট

এই প্যারামিটারটি ডিভাইসটি পরিচালনা করতে পারে এমন স্পন্দিত কারেন্টের পরিমাণ প্রতিফলিত করে, যা ক্রমাগত ডিসি কারেন্টের চেয়ে অনেক বেশি। IDM সংজ্ঞায়িত করার উদ্দেশ্য হল: লাইনের ওমিক অঞ্চল। একটি নির্দিষ্ট গেট-উৎস ভোল্টেজের জন্য,MOSFETএকটি সর্বাধিক ড্রেন বর্তমান বর্তমান সঙ্গে সঞ্চালিত

বর্তমান চিত্রে দেখানো হয়েছে, একটি প্রদত্ত গেট-সোর্স ভোল্টেজের জন্য, যদি অপারেটিং পয়েন্টটি রৈখিক অঞ্চলে অবস্থিত হয়, তাহলে ড্রেন কারেন্টের বৃদ্ধি ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজকে বাড়িয়ে দেয়, যা পরিবাহী ক্ষতি বাড়ায়। উচ্চ শক্তিতে দীর্ঘায়িত অপারেশন ডিভাইসের ব্যর্থতার কারণ হবে। এই কারণে

তাই, নামমাত্র IDMটিকে সাধারণ গেট ড্রাইভ ভোল্টেজগুলিতে অঞ্চলের নীচে সেট করা দরকার। অঞ্চলটির কাটঅফ পয়েন্টটি Vgs এবং বক্ররেখার সংযোগস্থলে।

অতএব, চিপটি খুব বেশি গরম হওয়া এবং পুড়ে যাওয়া প্রতিরোধ করার জন্য একটি উপরের বর্তমান ঘনত্বের সীমা সেট করা দরকার। এটি মূলত প্যাকেজ লিডের মাধ্যমে অত্যধিক কারেন্ট প্রবাহ রোধ করার জন্য, যেহেতু কিছু ক্ষেত্রে পুরো চিপের "দুর্বল সংযোগ" চিপ নয়, তবে প্যাকেজ লিড করে।

IDM-তে তাপীয় প্রভাবের সীমাবদ্ধতা বিবেচনা করে, তাপমাত্রা বৃদ্ধি নাড়ির প্রস্থ, ডালের মধ্যে সময়ের ব্যবধান, তাপ অপচয়, RDS(চালু), এবং পালস কারেন্টের তরঙ্গরূপ এবং প্রশস্ততার উপর নির্ভর করে। কেবলমাত্র সন্তুষ্টিজনক যে পালস কারেন্ট IDM সীমা অতিক্রম করে না তা গ্যারান্টি দেয় না যে সংযোগের তাপমাত্রা

সর্বাধিক অনুমোদিত মান অতিক্রম করে না। স্পন্দিত কারেন্টের অধীনে সংযোগের তাপমাত্রা তাপীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধের আলোচনার উল্লেখ করে অনুমান করা যেতে পারে।

PD - মোট অনুমোদনযোগ্য চ্যানেল পাওয়ার ডিসিপেশন

টোটাল অ্যালোভেবল চ্যানেল পাওয়ার ডিসিপেশন সর্বোচ্চ পাওয়ার ডিসিপেশন ক্যালিব্রেট করে যা ডিভাইসের মাধ্যমে নষ্ট করা যায় এবং 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রায় সর্বোচ্চ জংশন তাপমাত্রা এবং তাপীয় প্রতিরোধের ফাংশন হিসাবে প্রকাশ করা যেতে পারে।

TJ, TSTG - অপারেটিং এবং স্টোরেজ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা পরিসীমা

এই দুটি পরামিতি ডিভাইসের অপারেটিং এবং স্টোরেজ পরিবেশ দ্বারা অনুমোদিত জংশন তাপমাত্রা পরিসীমা ক্যালিব্রেট করে। এই তাপমাত্রা পরিসীমা ডিভাইসের সর্বনিম্ন অপারেটিং লাইফ মেটাতে সেট করা হয়েছে। এই তাপমাত্রা সীমার মধ্যে ডিভাইসটি কাজ করে তা নিশ্চিত করা তার অপারেটিং জীবনকে ব্যাপকভাবে প্রসারিত করবে।

EAS-একক পালস তুষারপাত ব্রেকডাউন শক্তি

 

যদি ভোল্টেজ ওভারশুট (সাধারণত লিকেজ কারেন্ট এবং স্ট্রে ইনডাক্টেন্সের কারণে) ব্রেকডাউন ভোল্টেজ অতিক্রম না করে, তাহলে ডিভাইসটি তুষারপাতের ভাঙ্গনের মধ্য দিয়ে যাবে না এবং তাই তুষারপাত ভাঙার ক্ষমতার প্রয়োজন নেই। তুষারপাতের ভাঙ্গন শক্তি ক্ষণস্থায়ী ওভারশুটকে ক্যালিব্রেট করে যা ডিভাইসটি সহ্য করতে পারে।

অ্যাভাল্যাঞ্চ ব্রেকডাউন শক্তি ক্ষণস্থায়ী ওভারশুট ভোল্টেজের নিরাপদ মান নির্ধারণ করে যা একটি ডিভাইস সহ্য করতে পারে এবং তুষারপাতের ভাঙ্গন ঘটতে যে পরিমাণ শক্তি অপচয় করতে হবে তার উপর নির্ভর করে।

একটি যন্ত্র যা একটি তুষারপাত ভাঙ্গন শক্তি রেটিং সংজ্ঞায়িত করে তা সাধারণত একটি EAS রেটিংকেও সংজ্ঞায়িত করে, যা UIS রেটিং এর অর্থে অনুরূপ, এবং সংজ্ঞায়িত করে যে ডিভাইসটি নিরাপদে কতটা রিভার্স অ্যাভাল্যাঞ্চ ব্রেকডাউন শক্তি শোষণ করতে পারে।

L হল ইন্ডাকট্যান্স মান এবং iD হল ইন্ডাক্টরে প্রবাহিত সর্বোচ্চ কারেন্ট, যা পরিমাপ যন্ত্রে হঠাৎ করে ড্রেন কারেন্টে রূপান্তরিত হয়। ইন্ডাক্টর জুড়ে উত্পন্ন ভোল্টেজ MOSFET ব্রেকডাউন ভোল্টেজকে ছাড়িয়ে যায় এবং এর ফলে তুষারপাত ভেঙে যায়। যখন তুষারপাতের ভাঙ্গন ঘটে, তখন ইন্ডাক্টরের কারেন্ট MOSFET ডিভাইসের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত হবে যদিওMOSFETবন্ধ আছে ইন্ডাক্টরে সঞ্চিত শক্তি স্ট্রে ইনডাক্টরে সঞ্চিত এবং MOSFET দ্বারা বিলুপ্ত করা শক্তির অনুরূপ।

যখন MOSFETগুলি সমান্তরালভাবে সংযুক্ত থাকে, তখন ব্রেকডাউন ভোল্টেজগুলি ডিভাইসগুলির মধ্যে খুব কমই অভিন্ন। সাধারণত যা ঘটে তা হল একটি ডিভাইসই প্রথম তুষারপাতের ভাঙ্গন অনুভব করে এবং পরবর্তী সমস্ত তুষারপাত ভাঙ্গন স্রোত (শক্তি) সেই ডিভাইসের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত হয়।

কান - বারবার তুষারপাতের শক্তি

পুনরাবৃত্তিমূলক তুষারপাতের শক্তি একটি "শিল্প মান" হয়ে উঠেছে, কিন্তু ফ্রিকোয়েন্সি, অন্যান্য ক্ষতি এবং শীতলকরণের পরিমাণ নির্ধারণ না করে এই পরামিতির কোন অর্থ নেই। তাপ অপচয় (ঠান্ডা) অবস্থা প্রায়ই পুনরাবৃত্তিমূলক তুষারপাত শক্তি নিয়ন্ত্রণ করে। তুষারপাতের ফলে উৎপন্ন শক্তির মাত্রা অনুমান করাও কঠিন।

তুষারপাতের ফলে উৎপন্ন শক্তির মাত্রা অনুমান করাও কঠিন।

ইএআর রেটিং এর আসল অর্থ হল বারবার তুষারপাতের ভাঙ্গন শক্তিকে ক্রমাঙ্কন করা যা ডিভাইসটি সহ্য করতে পারে। এই সংজ্ঞাটি অনুমান করে যে ফ্রিকোয়েন্সির কোনও সীমাবদ্ধতা নেই যাতে ডিভাইসটি অতিরিক্ত গরম না হয়, যেটি যে কোনও ডিভাইসের জন্য বাস্তবসম্মত যেখানে তুষারপাত ঘটতে পারে।

ডিভাইসের নকশা যাচাইয়ের সময় MOSFET ডিভাইসটি অতিরিক্ত গরম হচ্ছে কিনা তা দেখার জন্য অপারেশন বা হিট সিঙ্কে থাকা ডিভাইসের তাপমাত্রা পরিমাপ করা একটি ভাল ধারণা, বিশেষ করে এমন ডিভাইসগুলির জন্য যেখানে তুষারপাত হওয়ার সম্ভাবনা রয়েছে।

IAR - তুষারপাত ব্রেকডাউন কারেন্ট

কিছু ডিভাইসের জন্য, তুষারপাতের ভাঙ্গনের সময় চিপে বর্তমান সেট প্রান্তের প্রবণতার জন্য প্রয়োজন যে তুষারপাতের বর্তমান IAR সীমিত হবে। এইভাবে, তুষারপাতের স্রোত তুষারপাতের ভাঙ্গন শক্তি স্পেসিফিকেশনের "সূক্ষ্ম মুদ্রণ" হয়ে যায়; এটি ডিভাইসের প্রকৃত ক্ষমতা প্রকাশ করে।

পার্ট II স্ট্যাটিক বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

V(BR)DSS: ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ (ধ্বংস ভোল্টেজ)

V(BR)DSS (কখনও কখনও VBDSS বলা হয়) হল ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ যেখানে ড্রেনের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় একটি নির্দিষ্ট মান পর্যন্ত পৌঁছায় এবং গেট সোর্স ছোট হয়ে যায়। এই ক্ষেত্রে ড্রেন-উৎস ভোল্টেজ হল তুষারপাত ভাঙ্গন ভোল্টেজ।

V(BR)DSS হল একটি ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ, এবং কম তাপমাত্রায় V(BR)DSS 25°C এ ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজের সর্বোচ্চ রেটিং থেকে কম। -50°C এ, V(BR)DSS -50°C এ ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজের সর্বোচ্চ রেটিং থেকে কম। -50°C-এ, V(BR)DSS হল 25°C-তে সর্বাধিক ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ রেটিং-এর প্রায় 90%।

VGS(th), VGS(off): থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ

VGS(th) হল সেই ভোল্টেজ যেখানে যোগ করা গেট সোর্স ভোল্টেজের কারণে ড্রেনে কারেন্ট শুরু হতে পারে, অথবা MOSFET বন্ধ হয়ে গেলে কারেন্ট অদৃশ্য হয়ে যেতে পারে এবং পরীক্ষার শর্ত (ড্রেন কারেন্ট, ড্রেন সোর্স ভোল্টেজ, জংশন) তাপমাত্রা) এছাড়াও নির্দিষ্ট করা হয়। সাধারণত, সমস্ত এমওএস গেট ডিভাইস আলাদা থাকে

থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ ভিন্ন হবে। তাই, VGS(th) এর পরিবর্তনের পরিসীমা নির্দিষ্ট করা হয়েছে। VGS(th) হল একটি ঋণাত্মক তাপমাত্রা সহগ, যখন তাপমাত্রা বৃদ্ধি পায়,MOSFETঅপেক্ষাকৃত কম গেট সোর্স ভোল্টেজে চালু হবে।

RDS(চালু): অন-প্রতিরোধ

RDS(অন) হল একটি নির্দিষ্ট ড্রেন কারেন্ট (সাধারণত আইডি কারেন্টের অর্ধেক), গেট-সোর্স ভোল্টেজ এবং 25°C এ পরিমাপ করা ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ। আরডিএস(অন) হল একটি নির্দিষ্ট ড্রেন কারেন্ট (সাধারণত আইডি কারেন্টের অর্ধেক), গেট-সোর্স ভোল্টেজ এবং 25°C এ পরিমাপ করা ড্রেন-সোর্স রেজিস্ট্যান্স।

IDSS: জিরো গেট ভোল্টেজ ড্রেন কারেন্ট

IDSS হল একটি নির্দিষ্ট ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজে ড্রেন এবং সোর্সের মধ্যে লিকেজ কারেন্ট যখন গেট-সোর্স ভোল্টেজ শূন্য হয়। যেহেতু ফুটো কারেন্ট তাপমাত্রার সাথে বৃদ্ধি পায়, তাই IDSS রুম এবং উচ্চ তাপমাত্রা উভয় ক্ষেত্রেই নির্দিষ্ট করা হয়। ড্রেন উৎসের মধ্যে ভোল্টেজ দ্বারা IDSS কে গুণ করে ফুটো কারেন্টের কারণে শক্তির অপচয় গণনা করা যেতে পারে, যা সাধারণত নগণ্য।

IGSS - গেট সোর্স লিকেজ কারেন্ট

IGSS হল একটি নির্দিষ্ট গেট সোর্স ভোল্টেজে গেটের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত লিকেজ কারেন্ট।

পার্ট III ডাইনামিক বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

Ciss: ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স

গেট এবং উৎসের মধ্যে ক্যাপাসিট্যান্স, ড্রেনকে উৎসে সংক্ষিপ্ত করে এসি সিগন্যাল দিয়ে পরিমাপ করা হয়, হল ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স; গেট ড্রেন ক্যাপাসিট্যান্স, Cgd, এবং গেট সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স, Cgs, সমান্তরালভাবে বা Ciss = Cgs + Cgd সংযোগ করে Ciss গঠিত হয়। যখন ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স একটি থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজে চার্জ করা হয় তখন ডিভাইসটি চালু হয় এবং একটি নির্দিষ্ট মানের ডিসচার্জ করা হলে এটি বন্ধ হয়ে যায়। অতএব, ড্রাইভার সার্কিট এবং Ciss ডিভাইসের টার্ন-অন এবং টার্ন-অফ বিলম্বের উপর সরাসরি প্রভাব ফেলে।

Coss: আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স

আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স হল ড্রেন এবং সোর্সের মধ্যে ক্যাপাসিট্যান্স যা AC সিগন্যাল দিয়ে পরিমাপ করা হয় যখন গেট সোর্স ছোট করা হয়, Coss ড্রেন-সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স Cds এবং গেট-ড্রেন ক্যাপাসিট্যান্স Cgd, বা Coss = Cds + Cgd-এর সমান্তরালভাবে গঠিত হয়। নরম-সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, Coss খুবই গুরুত্বপূর্ণ কারণ এটি সার্কিটে অনুরণন সৃষ্টি করতে পারে।

Crs: বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স

সোর্স গ্রাউন্ডেড সহ ড্রেন এবং গেটের মধ্যে পরিমাপ করা ক্যাপাসিট্যান্স হল বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স। বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স গেট ড্রেন ক্যাপাসিট্যান্সের সমতুল্য, Cres = Cgd, এবং প্রায়শই মিলার ক্যাপাসিট্যান্স বলা হয়, যা একটি সুইচের উত্থান এবং পতনের জন্য সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটারগুলির মধ্যে একটি।

এটি সুইচিং উত্থান এবং পতনের সময়গুলির জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার এবং এটি বন্ধ করার বিলম্বের সময়কেও প্রভাবিত করে। ড্রেন ভোল্টেজ বাড়লে ক্যাপাসিট্যান্স কমে যায়, বিশেষ করে আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স এবং রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিট্যান্স।

Qgs, Qgd, এবং Qg: গেট চার্জ

গেট চার্জ মান টার্মিনালের মধ্যে ক্যাপাসিটরের উপর সঞ্চিত চার্জ প্রতিফলিত করে। যেহেতু ক্যাপাসিটরের চার্জ স্যুইচ করার সাথে সাথে ভোল্টেজের সাথে পরিবর্তিত হয়, গেট ড্রাইভার সার্কিট ডিজাইন করার সময় গেট চার্জের প্রভাব প্রায়ই বিবেচনা করা হয়।

Qgs হল 0 থেকে প্রথম ইনফ্লেকশন পয়েন্ট পর্যন্ত চার্জ, Qgd হল প্রথম থেকে দ্বিতীয় ইনফ্লেকশন পয়েন্ট পর্যন্ত অংশ (যাকে "মিলার" চার্জও বলা হয়), এবং Qg হল 0 থেকে বিন্দু পর্যন্ত অংশ যেখানে VGS একটি নির্দিষ্ট ড্রাইভের সমান। ভোল্টেজ

লিকেজ কারেন্ট এবং লিকেজ সোর্স ভোল্টেজের পরিবর্তনগুলি গেট চার্জের মানের উপর তুলনামূলকভাবে ছোট প্রভাব ফেলে এবং গেট চার্জ তাপমাত্রার সাথে পরিবর্তিত হয় না। পরীক্ষার শর্ত নির্দিষ্ট করা আছে. ফিক্সড লিকেজ কারেন্ট এবং বিভিন্ন লিকেজ সোর্স ভোল্টেজের জন্য সংশ্লিষ্ট গেট চার্জের বৈচিত্র্য বক্ররেখা সহ, গেট চার্জের একটি গ্রাফ ডেটা শীটে দেখানো হয়েছে।

ফিক্সড ড্রেন কারেন্ট এবং বিভিন্ন ড্রেন সোর্স ভোল্টেজের জন্য সংশ্লিষ্ট গেট চার্জ বৈচিত্র্য বক্ররেখা ডেটাশিটে অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে। গ্রাফে, মালভূমি ভোল্টেজ VGS(pl) ক্রমবর্ধমান কারেন্টের সাথে কম বৃদ্ধি পায় (এবং হ্রাসকারী কারেন্টের সাথে হ্রাস পায়)। মালভূমি ভোল্টেজও থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের সমানুপাতিক, তাই একটি ভিন্ন থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ একটি ভিন্ন মালভূমি ভোল্টেজ তৈরি করবে।

ভোল্টেজ

নিম্নলিখিত চিত্রটি আরও বিস্তারিত এবং প্রয়োগ করা হয়েছে:

td(অন): অন-টাইম বিলম্বের সময়

অন-টাইম বিলম্বের সময় হল সেই সময় যখন গেট সোর্স ভোল্টেজ গেট ড্রাইভ ভোল্টেজের 10% পর্যন্ত বেড়ে যায় যখন লিকেজ কারেন্ট নির্দিষ্ট কারেন্টের 10%-এ বেড়ে যায়।

td(বন্ধ): বিলম্বের সময় বন্ধ

টার্ন-অফ বিলম্বের সময় হল যখন গেট সোর্স ভোল্টেজ গেট ড্রাইভের ভোল্টেজের 90% এ নেমে যাওয়ার পর থেকে যখন লিকেজ কারেন্ট নির্দিষ্ট কারেন্টের 90% এ নেমে যায় তখন অতিবাহিত সময়। এটি লোডে কারেন্ট স্থানান্তর করার আগে অভিজ্ঞ বিলম্ব দেখায়।

tr: উঠার সময়

ড্রেন কারেন্ট 10% থেকে 90% এ উঠতে যে সময় লাগে তা হল উত্থান সময়।

tf: পড়ার সময়

পতনের সময় হল ড্রেন কারেন্ট 90% থেকে 10% এ নেমে আসতে যে সময় লাগে।