IGBT এবং MOSFET এর মধ্যে পার্থক্য

IGBT (ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর) এবং MOSFET (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) হল দুটি সাধারণ পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। যদিও উভয়ই বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে অপরিহার্য উপাদান, তারা বিভিন্ন দিক থেকে উল্লেখযোগ্যভাবে পৃথক। নীচে IGBT এবং MOSFET এর মধ্যে প্রাথমিক পার্থক্য রয়েছে:

1. কাজের নীতি

- IGBT: IGBT একটি BJT (বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর) এবং একটি MOSFET উভয়ের বৈশিষ্ট্যকে একত্রিত করে, এটিকে একটি হাইব্রিড ডিভাইসে পরিণত করে। এটি একটি MOSFET এর গেট ভোল্টেজের মাধ্যমে BJT এর ভিত্তি নিয়ন্ত্রণ করে, যা ঘুরে BJT এর পরিবাহিতা এবং কাটঅফ নিয়ন্ত্রণ করে। যদিও একটি IGBT এর পরিবাহী এবং কাটঅফ প্রক্রিয়া তুলনামূলকভাবে জটিল, এতে কম পরিবাহী ভোল্টেজের ক্ষতি এবং উচ্চ ভোল্টেজ সহনশীলতা রয়েছে।

- MOSFET: MOSFET হল একটি ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর যা গেট ভোল্টেজের মাধ্যমে একটি সেমিকন্ডাক্টরে কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করে। যখন গেট ভোল্টেজ উৎস ভোল্টেজ অতিক্রম করে, একটি পরিবাহী স্তর গঠন করে, যা কারেন্ট প্রবাহিত হতে দেয়। বিপরীতভাবে, যখন গেট ভোল্টেজ থ্রেশহোল্ডের নীচে থাকে, পরিবাহী স্তরটি অদৃশ্য হয়ে যায় এবং কারেন্ট প্রবাহিত হতে পারে না। দ্রুত স্যুইচিং গতি সহ একটি MOSFET এর অপারেশন তুলনামূলকভাবে সহজ।

2. আবেদনের ক্ষেত্র

- IGBT: এর উচ্চ ভোল্টেজ সহনশীলতা, কম পরিবাহী ভোল্টেজের ক্ষতি এবং দ্রুত স্যুইচিং পারফরম্যান্সের কারণে, IGBT উচ্চ-শক্তি, কম-ক্ষতির অ্যাপ্লিকেশন যেমন ইনভার্টার, মোটর ড্রাইভার, ওয়েল্ডিং মেশিন এবং নিরবচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ (UPS) এর জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত। . এই অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, IGBT দক্ষতার সাথে উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-কারেন্ট স্যুইচিং অপারেশন পরিচালনা করে।

- MOSFET: MOSFET, এর দ্রুত প্রতিক্রিয়া, উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধ, স্থিতিশীল সুইচিং কর্মক্ষমতা এবং কম খরচে, কম-পাওয়ার, দ্রুত-সুইচিং অ্যাপ্লিকেশন যেমন সুইচ-মোড পাওয়ার সাপ্লাই, আলো, অডিও অ্যামপ্লিফায়ার এবং লজিক সার্কিটে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। . MOSFET লো-পাওয়ার এবং লো-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনে ব্যতিক্রমীভাবে ভালো পারফর্ম করে।