MOSFET ব্যর্থতার কারণ এবং প্রতিরোধ

গেট ভোল্টেজ ব্যর্থতা

অস্বাভাবিকভাবে উচ্চ গ্রিড ভোল্টেজের তিনটি প্রধান কারণ রয়েছে: উত্পাদন, পরিবহন এবং সমাবেশের সময় স্থির বিদ্যুৎ; পাওয়ার সিস্টেম অপারেশন চলাকালীন সরঞ্জাম এবং সার্কিটের পরজীবী পরামিতি দ্বারা উত্পন্ন উচ্চ ভোল্টেজ অনুরণন; এবং উচ্চ ভোল্টেজ শকের সময় Ggd-এর মাধ্যমে গ্রিডে উচ্চ ভোল্টেজের সংক্রমণ (একটি ত্রুটি যা বজ্রপাতের পরীক্ষার সময় বেশি দেখা যায়)।

গেট ভোল্টেজ ত্রুটি প্রতিরোধের ব্যবস্থা:

গেট এবং উত্সের মধ্যে ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা: যখন গেট এবং উত্সের মধ্যে প্রতিবন্ধকতা খুব বেশি হয়, তখন গেট এবং উত্সের মধ্যে ভোল্টেজের আকস্মিক পরিবর্তন ইলেক্ট্রোডগুলির মধ্যে ক্যাপাসিট্যান্সের মাধ্যমে গেটের সাথে মিলিত হয়, যার ফলে একটি খুব উচ্চ UGS ভোল্টেজ ওভার-রেগুলেশন হয়, গেট অতিরিক্ত নিয়ন্ত্রণ নেতৃস্থানীয়. স্থায়ী অক্সিডেটিভ ক্ষতি। যদি UGS একটি ইতিবাচক ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজে থাকে, তাহলে ডিভাইসটিও ত্রুটির কারণ হতে পারে। এই ভিত্তিতে, গেট ড্রাইভ সার্কিটের প্রতিবন্ধকতা যথাযথভাবে হ্রাস করা উচিত এবং একটি স্যাঁতসেঁতে প্রতিরোধক বা 20V স্টেবিলাইজিং ভোল্টেজ গেট এবং উত্সের মধ্যে সংযুক্ত করা উচিত। খোলা দরজা অপারেশন প্রতিরোধ করার জন্য বিশেষ যত্ন নেওয়া উচিত।

ডিসচার্জ টিউবগুলির মধ্যে ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা: যদি সার্কিটে একটি ইন্ডাকটর থাকে, ইউনিটটি বন্ধ করার সময় লিকেজ কারেন্টে (di/dt) আকস্মিক পরিবর্তনের ফলে লিকেজ ভোল্টেজ সরবরাহ ভোল্টেজের উপরে ওভারশুট হয়ে যায়, যার ফলে ইউনিটের ক্ষতি হয়। সুরক্ষার মধ্যে একটি জেনার ক্ল্যাম্প, আরসি ক্ল্যাম্প বা আরসি সাপ্রেশন সার্কিট অন্তর্ভুক্ত করা উচিত।