বর্ধিতকরণ এবং হ্রাস MOSFETs বিশ্লেষণ করা

ডি-এফইটি 0 গেট পক্ষপাতের মধ্যে থাকে যখন চ্যানেলের অস্তিত্ব, FET পরিচালনা করতে পারে; E-FET 0 গেট পক্ষপাতের মধ্যে থাকে যখন কোন চ্যানেল থাকে না, FET পরিচালনা করতে পারে না। এই দুই ধরনের FET-এর নিজস্ব বৈশিষ্ট্য এবং ব্যবহার রয়েছে। সাধারণভাবে, উচ্চ-গতির, কম-পাওয়ার সার্কিটে উন্নত FET খুবই মূল্যবান; এবং এই ডিভাইসটি কাজ করছে, এটি গেট বায়াস vo এর পোলারিটিltage এবং ড্রেন একই ভোল্টেজ, এটি সার্কিট ডিজাইনে আরও সুবিধাজনক।

তথাকথিত বর্ধিত মানে: যখন VGS = 0 টিউব একটি কাটা-অফ অবস্থা, প্লাস সঠিক VGS, তখন বেশিরভাগ বাহক গেটের দিকে আকৃষ্ট হয়, এইভাবে এই অঞ্চলে বাহকদের "বর্ধিত" করে, একটি পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করে। n-চ্যানেল বর্ধিত MOSFET মূলত একটি বাম-ডান প্রতিসম টপোলজি, যা SiO2 ফিল্ম ইনসুলেশনের একটি স্তরের জেনারেশনের পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর। এটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরে SiO2 ফিল্মের একটি অন্তরক স্তর তৈরি করে এবং তারপরে দুটি উচ্চ ডোপড এন-টাইপ অঞ্চলকে ছড়িয়ে দেয়ফটোলিথোগ্রাফি, এবং এন-টাইপ অঞ্চল থেকে সীসা ইলেক্ট্রোড, একটি ড্রেন D এর জন্য এবং একটি উৎস S এর জন্য। অ্যালুমিনিয়াম ধাতুর একটি স্তর উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে অন্তরক স্তরের উপর গেট হিসাবে প্রলেপ দেওয়া হয়। যখন VGS = 0 V , ড্রেন এবং উত্সের মধ্যে ব্যাক-টু-ব্যাক ডায়োড সহ বেশ কয়েকটি ডায়োড রয়েছে এবং D এবং S এর মধ্যে ভোল্টেজ D এবং এর মধ্যে একটি কারেন্ট তৈরি করে না S. D এবং S এর মধ্যেকার কারেন্ট প্রয়োগ করা ভোল্টেজ দ্বারা গঠিত হয় না।

যখন গেট ভোল্টেজ যোগ করা হয়, যদি 0 < VGS < VGS(th), গেট এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে গঠিত ক্যাপাসিটিভ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মাধ্যমে, গেটের নীচের কাছে P-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের পলিয়ন ছিদ্রগুলি নীচের দিকে বিকর্ষণ করা হয় এবং নেতিবাচক আয়নগুলির একটি পাতলা অবক্ষয় স্তর প্রদর্শিত হয়; একই সময়ে, এটি সারফেস লেয়ারে যাওয়ার জন্য এর মধ্যে থাকা অলিগনকে আকৃষ্ট করবে, কিন্তু সংখ্যাটি সীমিত এবং একটি পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করার জন্য অপর্যাপ্ত যা ড্রেন এবং উত্সের সাথে যোগাযোগ করে, তাই এটি এখনও ড্রেন কারেন্ট আইডি গঠনের জন্য অপর্যাপ্ত। আরও বৃদ্ধি VGS, যখন VGS > ভিজিএস (থ) (ভিজিএস (থ) কে টার্ন-অন ভোল্টেজ বলা হয়), কারণ এই সময়ে গেট ভোল্টেজ তুলনামূলকভাবে শক্তিশালী ছিল, পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর পৃষ্ঠের স্তরে গেটের নীচের নীচের অংশে আরও বেশি ভোল্টেজ জমা হয়। ইলেক্ট্রন, আপনি একটি পরিখা, ড্রেন এবং যোগাযোগের উৎস গঠন করতে পারেন। এই সময়ে ড্রেন সোর্স ভোল্টেজ যোগ করা হলে, ড্রেন কারেন্ট আইডি গঠন করতে পারে। পরিবাহী চ্যানেলে ইলেকট্রন গেটের নীচে তৈরি হয়, কারণ পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের পোলারিটি সহ ক্যারিয়ার গর্তের বিপরীতে, তাই এটিকে অ্যান্টি-টাইপ স্তর বলা হয়। ভিজিএস বাড়তে থাকলে আইডি বাড়তে থাকবে। ID = 0 VGS = 0V, এবং ড্রেন কারেন্ট শুধুমাত্র VGS > VGS(th) এর পরে ঘটে, তাই, এই ধরনের MOSFET কে বর্ধিত MOSFET বলা হয়।

ড্রেন কারেন্টের উপর VGS-এর নিয়ন্ত্রণ সম্পর্ককে বক্ররেখা iD = f(VGS(th))|VDS=const দ্বারা বর্ণনা করা যেতে পারে, যাকে স্থানান্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত বক্ররেখা বলা হয় এবং স্থানান্তর বৈশিষ্ট্যগত বক্ররেখার ঢালের মাত্রা, gm, গেট সোর্স ভোল্টেজ দ্বারা ড্রেন কারেন্টের নিয়ন্ত্রণ প্রতিফলিত করে। gm এর মাত্রা হল mA/V, তাই gm কে ট্রান্সকন্ডাক্টেন্সও বলা হয়।