WST4041 P-চ্যানেল -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

ছোট বিবরণ:

মডেল নম্বার:WST4041

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

আইডি:-6A

চ্যানেল:পি-চ্যানেল

প্যাকেজ:SOT-23-3L

পণ্যের সারাংশ:WST4041 MOSFET-এর ভোল্টেজ -40V, কারেন্ট-6A, 30mΩ প্রতিরোধ ক্ষমতা, P-চ্যানেল এবং SOT-23-3L প্যাকেজিং।

অ্যাপ্লিকেশন:ইলেকট্রনিক সিগারেট, কন্ট্রোলার, ডিজিটাল পণ্য, ছোট যন্ত্রপাতি, ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF

পণ্য বিবরণী

আবেদন

পণ্য ট্যাগ

সাধারণ বিবরণ

WST4041 হল একটি শক্তিশালী P-চ্যানেল MOSFET যা সিঙ্ক্রোনাস বক কনভার্টারে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।এটির একটি উচ্চ সেল ঘনত্ব রয়েছে যা চমৎকার RDSON এবং গেট চার্জের জন্য অনুমতি দেয়।WST4041 RoHS এবং সবুজ পণ্যের মানগুলির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এবং এটি নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতার জন্য 100% EAS গ্যারান্টি সহ আসে।

বৈশিষ্ট্য

অ্যাডভান্সড ট্রেঞ্চ টেকনোলজিতে উচ্চ কোষের ঘনত্ব এবং অতি কম গেট চার্জ রয়েছে, যা উল্লেখযোগ্যভাবে CdV/dt প্রভাবকে হ্রাস করে।আমাদের ডিভাইসগুলি 100% EAS গ্যারান্টি এবং পরিবেশ বান্ধব বিকল্পগুলির সাথে আসে।

অ্যাপ্লিকেশন

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পয়েন্ট-অফ-লোড সিঙ্ক্রোনাস বক কনভার্টার, নেটওয়ার্কিং ডিসি-ডিসি পাওয়ার সিস্টেম, লোড সুইচ, ই-সিগারেট, কন্ট্রোলার, ডিজিটাল ডিভাইস, ছোট বাড়ির যন্ত্রপাতি এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স।

সংশ্লিষ্ট উপাদান সংখ্যা

AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,দিনটেক DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

গুরুত্বপূর্ণ পরামিতি

প্রতীক	প্যারামিটার	রেটিং	ইউনিট
ভিডিএস	ড্রেন উত্স ভোল্টেজ	-40	V
ভিজিএস	গেট-উৎস ভোল্টেজ	±20	V
ID@TC=25℃	ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ -10V1	-6.0	A
ID@TC=100℃	ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ -10V1	-4.5	A
আইডিএম	স্পন্দিত ড্রেন কারেন্ট2	-24	A
ইএএস	একক পালস তুষারপাত শক্তি3	12	mJ
আইএএস	তুষারপাত কারেন্ট	-7	A
PD@TC=25℃	মোট শক্তি অপচয় 4	1.4	W
টিএসটিজি	স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 150	℃
TJ	অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 150	℃

প্রতীক	প্যারামিটার	শর্তাবলী	মিন.	টাইপ	সর্বোচ্চ	ইউনিট
বিভিডিএসএস	ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS তাপমাত্রা সহগ	রেফারেন্স 25℃ , ID=-1mA	---	-0.03	---	V/℃
RDS(চালু)	স্ট্যাটিক ড্রেন-উৎস অন-প্রতিরোধ 2	VGS=-10V , ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(চালু)	স্ট্যাটিক ড্রেন-উৎস অন-প্রতিরোধ 2	VGS=-4.5V , ID=-1A	---	40	58	mΩ
ভিজিএস(তম)	গেট বিক্রেতার ভোল্টেজ	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.8	-1.2	-2.2	V
△ভিজিএস(ম)	VGS(th) তাপমাত্রা সহগ	VGS=VDS , ID =-250uA	---	4.56	---	mV/℃
আইডিএসএস	ড্রেন-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
আইডিএসএস	ড্রেন-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
আইজিএসএস	গেট-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স	VDS=-5V , ID=-3A	---	15	---	S
Rg	গেট প্রতিরোধ	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.8	---	Ω
Qg	মোট গেট চার্জ (-4.5V)	VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A	---	9.5	---	nC
Qgs	গেট-সোর্স চার্জ		---	1.7	---
Qgd	গেট-ড্রেন চার্জ		---	2.0	---
Td(চালু)	বিলম্ব সময় চালু করুন	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A , RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	সময় বৃদ্ধি		---	10	---
Td(বন্ধ)	বিলম্ব সময় বন্ধ করুন		---	18	---
Tf	পতনের সময়		---	8	---
Ciss	ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	420	---	pF
কস	আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স		---	77	---
Crss	বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স		---	55	---