WST2078 N&P চ্যানেল 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

মডেল নম্বর:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

আইডি:3.8A/-4.5A

চ্যানেল:N&P চ্যানেল

প্যাকেজ:SOT-23-6L

পণ্যের সারাংশ:WST2078 MOSFET-এর ভোল্টেজ রেটিং 20V এবং -20V। এটি 3.8A এবং -4.5A এর স্রোত পরিচালনা করতে পারে এবং এর প্রতিরোধের মান 45mΩ এবং 65mΩ রয়েছে। MOSFET-এর N&P চ্যানেল উভয় ক্ষমতাই রয়েছে এবং এটি একটি SOT-23-6L প্যাকেজে আসে।

অ্যাপ্লিকেশন:ই-সিগারেট, কন্ট্রোলার, ডিজিটাল পণ্য, যন্ত্রপাতি এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF

পণ্য বিস্তারিত

আবেদন

পণ্য ট্যাগ

সাধারণ বর্ণনা

ছোট পাওয়ার সুইচ এবং লোড অ্যাপ্লিকেশনের জন্য WST2078 হল সেরা MOSFET। এটিতে উচ্চ কোষের ঘনত্ব রয়েছে যা চমৎকার RDSON এবং গেট চার্জ প্রদান করে। এটি RoHS এবং সবুজ পণ্যের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এবং সম্পূর্ণ ফাংশন নির্ভরযোগ্যতার জন্য অনুমোদিত হয়েছে।

বৈশিষ্ট্য

উচ্চ সেল ঘনত্বের পরিখা, অত্যন্ত কম গেট চার্জ এবং Cdv/dt প্রভাবের চমৎকার হ্রাস সহ উন্নত প্রযুক্তি। এই ডিভাইসটি পরিবেশ বান্ধবও।

অ্যাপ্লিকেশন

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পয়েন্ট-অফ-লোড সিঙ্ক্রোনাস ছোট পাওয়ার সুইচিং MB/NB/UMPC/VGA, নেটওয়ার্কিং DC-DC পাওয়ার সিস্টেম, লোড সুইচ, ই-সিগারেট, কন্ট্রোলার, ডিজিটাল পণ্য, ছোট গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি এবং ভোক্তাদের ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত ইলেকট্রনিক্স

সংশ্লিষ্ট উপাদান সংখ্যা

AOS AO6604 AO6608, ViSHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

গুরুত্বপূর্ণ পরামিতি

প্রতীক	প্যারামিটার	রেটিং		ইউনিট
প্রতীক	প্যারামিটার	এন-চ্যানেল	পি-চ্যানেল	ইউনিট
ভিডিএস	ড্রেন-উৎস ভোল্টেজ	20	-20	V
ভিজিএস	গেট-উৎস ভোল্টেজ	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
আইডিএম	স্পন্দিত ড্রেন কারেন্ট2	20	-13	A
PD@TA=25℃	মোট শক্তি অপচয়3	1.4	1.4	W
টিএসটিজি	স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 150	-55 থেকে 150	℃
TJ	অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 150	-55 থেকে 150	℃

প্রতীক	প্যারামিটার	শর্তাবলী	মিন.	টাইপ	সর্বোচ্চ	ইউনিট
বিভিডিএসএস	ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS তাপমাত্রা সহগ	রেফারেন্স 25℃, ID=1mA	---	0.024	---	V/℃
RDS(চালু)	স্ট্যাটিক ড্রেন-উৎস অন-প্রতিরোধ 2	VGS=4.5V , ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V , ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V , ID=1A	---	85	120
ভিজিএস(তম)	গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	0.7	1	V
△ভিজিএস(ম)	VGS(th) তাপমাত্রা সহগ	VGS=VDS , ID =250uA	---	-2.51	---	mV/℃
আইডিএসএস	ড্রেন-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
আইডিএসএস	ড্রেন-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
আইজিএসএস	গেট-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VGS=±8V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স	VDS=5V , ID=1A	---	8	---	S
Rg	গেট প্রতিরোধ	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	মোট গেট চার্জ (4.5V)	VDS=10V , VGS=10V , ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	গেট-সোর্স চার্জ		---	1.5	---
Qgd	গেট-ড্রেন চার্জ		---	2.1	---
Td(চালু)	টার্ন-অন বিলম্বের সময়	VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	উঠার সময়		---	13	23
Td(বন্ধ)	টার্ন-অফ বিলম্বের সময়		---	15	28
Tf	পতনের সময়		---	3	5.5
Ciss	ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স	VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz	---	450	---	pF
কস	আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স		---	51	---
Crss	বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স		---	52	---