WSM320N04G N-চ্যানেল 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

মডেল নম্বর:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2mΩ

আইডি:320A

চ্যানেল:এন-চ্যানেল

প্যাকেজ:TOLL-8L

পণ্যের সারাংশ:WSM320N04G MOSFET-এর একটি ভোল্টেজ 40V, একটি কারেন্ট 320A, 1.2mΩ একটি প্রতিরোধ, একটি N-চ্যানেল এবং একটি TOLL-8L প্যাকেজ রয়েছে৷

অ্যাপ্লিকেশন:ইলেকট্রনিক সিগারেট, ওয়্যারলেস চার্জিং, ড্রোন, চিকিৎসা, গাড়ি চার্জিং, কন্ট্রোলার, ডিজিটাল পণ্য, ছোট গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি, ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF

পণ্য বিস্তারিত

আবেদন

পণ্য ট্যাগ

সাধারণ বর্ণনা

WSM320N04G হল একটি উচ্চ-পারফরম্যান্স MOSFET যেটি একটি ট্রেঞ্চ ডিজাইন ব্যবহার করে এবং এর সেলের ঘনত্ব খুব বেশি। এটিতে চমৎকার RDSON এবং গেট চার্জ রয়েছে এবং এটি বেশিরভাগ সিঙ্ক্রোনাস বক কনভার্টার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত। WSM320N04G RoHS এবং সবুজ পণ্যের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এবং 100% EAS এবং সম্পূর্ণ ফাংশন নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।

বৈশিষ্ট্য

উন্নত উচ্চ সেল ঘনত্ব ট্রেঞ্চ প্রযুক্তি, যেখানে সর্বোত্তম কার্যক্ষমতার জন্য একটি কম গেট চার্জও রয়েছে। উপরন্তু, এটি একটি চমৎকার CdV/dt প্রভাব হ্রাস, একটি 100% EAS গ্যারান্টি এবং একটি পরিবেশ-বান্ধব বিকল্পের গর্ব করে।

অ্যাপ্লিকেশন

উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পয়েন্ট-অফ-লোড সিঙ্ক্রোনাস বক কনভার্টার, নেটওয়ার্কিং DC-DC পাওয়ার সিস্টেম, পাওয়ার টুল অ্যাপ্লিকেশন, ইলেকট্রনিক সিগারেট, ওয়্যারলেস চার্জিং, ড্রোন, চিকিৎসা, গাড়ি চার্জিং, কন্ট্রোলার, ডিজিটাল পণ্য, ছোট গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স।

গুরুত্বপূর্ণ পরামিতি

প্রতীক	প্যারামিটার	রেটিং	ইউনিট
ভিডিএস	ড্রেন-উৎস ভোল্টেজ	40	V
ভিজিএস	গেট-উৎস ভোল্টেজ	±20	V
ID@TC=25℃	ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ 10V1,7	192	A
আইডিএম	স্পন্দিত ড্রেন কারেন্ট2	900	A
ইএএস	একক পালস তুষারপাত শক্তি3	980	mJ
আইএএস	তুষারপাত কারেন্ট	70	A
PD@TC=25℃	মোট শক্তি অপচয় 4	250	W
টিএসটিজি	স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 175	℃
TJ	অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 175	℃

প্রতীক	প্যারামিটার	শর্তাবলী	মিন.	টাইপ	সর্বোচ্চ	ইউনিট
বিভিডিএসএস	ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS তাপমাত্রা সহগ	রেফারেন্স 25℃, ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(চালু)	স্ট্যাটিক ড্রেন-উৎস অন-প্রতিরোধ 2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(চালু)	স্ট্যাটিক ড্রেন-উৎস অন-প্রতিরোধ 2	VGS=4.5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
ভিজিএস(তম)	গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△ভিজিএস(ম)	VGS(th) তাপমাত্রা সহগ	VGS=VDS , ID =250uA	---	-6.94	---	mV/℃
আইডিএসএস	ড্রেন-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
আইডিএসএস	ড্রেন-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
আইজিএসএস	গেট-উৎস লিকেজ কারেন্ট	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	গেট প্রতিরোধ	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	মোট গেট চার্জ (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	গেট-সোর্স চার্জ		---	43	---
Qgd	গেট-ড্রেন চার্জ		---	83	---
Td(চালু)	টার্ন-অন বিলম্বের সময়	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A।	---	30	---	ns
Tr	উঠার সময়		---	115	---
Td(বন্ধ)	টার্ন-অফ বিলম্বের সময়		---	95	---
Tf	পতনের সময়		---	80	---
Ciss	ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
কস	আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স		---	1200	---
Crss	বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স		---	800	---