MOSFETs (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) প্রায়ই সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস হিসাবে বিবেচিত হয়। এর কারণ হল MOSFET-এর অপারেটিং অবস্থা (চালু বা বন্ধ) সম্পূর্ণরূপে গেট ভোল্টেজ (Vgs) দ্বারা নিয়ন্ত্রিত এবং বাইপোলার ট্রানজিস্টরের (BJT) ক্ষেত্রে বেস কারেন্টের উপর নির্ভর করে না।
একটি MOSFET-এ, গেট ভোল্টেজ Vgs নির্ধারণ করে যে উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে একটি পরিবাহী চ্যানেল তৈরি হয়েছে কিনা, সেইসাথে পরিবাহী চ্যানেলের প্রস্থ এবং পরিবাহিতা। যখন Vgs থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ Vt অতিক্রম করে, তখন পরিবাহী চ্যানেল তৈরি হয় এবং MOSFET অন-স্টেটে প্রবেশ করে; যখন Vgs Vt এর নিচে নেমে যায়, তখন পরিবাহী চ্যানেলটি অদৃশ্য হয়ে যায় এবং MOSFET কাট-অফ অবস্থায় থাকে। এই নিয়ন্ত্রণটি সম্পূর্ণরূপে নিয়ন্ত্রিত কারণ গেট ভোল্টেজ অন্যান্য বর্তমান বা ভোল্টেজ পরামিতির উপর নির্ভর না করে MOSFET-এর অপারেটিং অবস্থাকে স্বাধীনভাবে এবং সুনির্দিষ্টভাবে নিয়ন্ত্রণ করতে পারে।
বিপরীতে, অর্ধ-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইসের অপারেটিং অবস্থা (উদাহরণস্বরূপ, থাইরিস্টর) শুধুমাত্র নিয়ন্ত্রণ ভোল্টেজ বা কারেন্ট দ্বারা প্রভাবিত হয় না, তবে অন্যান্য কারণগুলি (যেমন, অ্যানোড ভোল্টেজ, কারেন্ট, ইত্যাদি) দ্বারাও প্রভাবিত হয়। ফলস্বরূপ, সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস (যেমন, MOSFETs) সাধারণত নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা এবং নমনীয়তার পরিপ্রেক্ষিতে আরও ভাল কর্মক্ষমতা প্রদান করে।
সংক্ষেপে, MOSFETগুলি সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস যার অপারেটিং অবস্থা সম্পূর্ণরূপে গেট ভোল্টেজ দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয় এবং উচ্চ নির্ভুলতা, উচ্চ নমনীয়তা এবং কম শক্তি খরচের সুবিধা রয়েছে।
পোস্টের সময়: সেপ্টেম্বর-20-2024
